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机构	日期	题名	作者
國立成功大學	2021-05-1	Investigation of Multiple-Mesa-Nanochannel Array GaN-Based MOSHEMTs with Al2O3 Gate Dielectric Layer	Jian;Jhang-Jie;Lee;Hsin-Ying;Chang;Yi, Edward;Rorsman;Niklas;Lee;Ching-Ting
國立成功大學	2021	Fabrication and Characterization of GaN-Based Fin-Channel Array Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron Mobility Transistors With Recessed-Gate and Ga2O3 Gate Insulator Layer	Lee;Hsin-Ying;Chang;Ting-Wei;Chang;Yi, Edward;Rorsman;Niklas;Lee;Ching-Ting

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