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機構	日期	題名	作者
國立交通大學	2014-12-08T15:39:00Z	Modeling the floating-body effects of fully depleted, partially depleted, and body-grounded SOI MOSFETs	Chan, M; Su, P; Wan, H; Lin, CH; Fung, SKH; Niknejad, AM; Hu, CM; Ko, PK

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