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臺大學術典藏 2020-06-11T06:49:05Z Design Considerations of the Gate Drive Circuit for GaN HEMT Devices Niu, Y.-C.;Huang, Y.-T.;Chen, C.-L.;Chen, Y.-M.; Niu, Y.-C.; Huang, Y.-T.; Chen, C.-L.; Chen, Y.-M.; YAOW-MING CHEN
臺大學術典藏 2020-06-11T06:49:05Z Design Considerations of the Gate Drive Circuit for GaN HEMT Devices Niu, Y.-C.;Huang, Y.-T.;Chen, C.-L.;Chen, Y.-M.; Niu, Y.-C.; Huang, Y.-T.; Chen, C.-L.; Chen, Y.-M.; YAOW-MING CHEN
臺大學術典藏 2017 Design of boost power factor corrector with GaN HEMT devices Niu, Y.-C.;Yang, C.-J.;Chen, Y.-M.;Chang, Y.-R.; Niu, Y.-C.; Yang, C.-J.; Chen, Y.-M.; Chang, Y.-R.; YAOW-MING CHEN
臺大學術典藏 2017 Design of boost power factor corrector with GaN HEMT devices Niu, Y.-C.;Yang, C.-J.;Chen, Y.-M.;Chang, Y.-R.; Niu, Y.-C.; Yang, C.-J.; Chen, Y.-M.; Chang, Y.-R.; YAOW-MING CHEN

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