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机构	日期	题名	作者
臺大學術典藏	2018-09-10T03:46:47Z	Properties of high k gate dielectrics Gd2O3 and Y2O3 for Si	MINGHWEI HONG; others; Lay, TS; Sapjeta, BJ; Chu, SNG; Muller, DA; Opila, RL; Chabal, YJ; Kwo, J;Hong, M;Kortan, AR;Queeney, KL;Chabal, YJ;Opila, RL;Muller, DA;Chu, SNG;Sapjeta, BJ;Lay, TS;others; Kwo, J; Hong, M; Kortan, AR; Queeney, KL

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