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机构	日期	题名	作者
國立中山大學	2006	Integration issues for siloxane-based hydrogen silsesquioxane (HSQ) applied on TFT-LCDs	T.S. Chang;T.C. Chang;P.T. Liu;T.S. Chang;F.S. Yeh
國立中山大學	2006	Electrical Enhancement of Solid Phase Crystallized Poly-Si Thin-Film Transistors with Fluorine Ion Implantation	C.H. Tu;T.C. Chang;P.T. Liu;C.H. Chen;C.Y. Yang;Y.C. Wu;H.C. Liu;L.T. Chang;C.C. Tsai;S.M. Sze;C.Y. Chang
國立中山大學	2006	A novel method for growing polycrystalline Ge layer by using UHVCVD	C.H. Tu;T.C. Chang;P.T. Liu;T.H. Yang;H.W. Zan;C.Y. Chang
國立中山大學	2006	Application of the low dielectric methyl-silsesquiazane (MSZ)as a passivation layer on TFT-LCD	T.S. Chang;T.C. Chang;P.T. Liu;C.Y. Chiang;S.C. Chen;F.S. Yeh
國立中山大學	2006	A novel self aligned etch-stopper structure with lower photo leakage for AMLCD and sensor applications	C.Y. Liang;F.Y. Gan;P.T. Liu;F.S. Yen;H.L. Chen;T.C. Chang
國立中山大學	2006	High performance metal-induced lateral-crystallization polysilcion thin film transistor with multiple nanowire channel and multiple gates	Y.C. Wu;T.C. Chang;P.T. Liu;C.W. Chou;Y.C. Wu;C.H. Tu;C.Y. Chang
國立中山大學	2006	Activation of carbon nanotube emitters by using supercritical carbon dioxide fluids with propyl alcohol	P.T. Liu;C.T. Tsai;T.C. Chang;K.T. King;P.L. Chang;C.M. Chen;H.F. Cheng
國立中山大學	2006	Short-diode like diffusion capacitance of organic light emission devices	M.N. Tasi;T.C. Chang;P.T. Liu;C.W. Ko;C.J. Chen;K.M. Lo
國立中山大學	2006	The Improved Memory Window for Ge Nanocrystals Embedded in SiON Layer	C.H. Tu;T.C. Chang;P.T. Liu;H.C. Liu;Simon M. Sze;C.Y. Chang
國立中山大學	2006	Formation of silicon germanium nitride layer with distributed charge storage elements	C.H. Tu;T.C. Chang;P.T. Liu;H.C. Liu;W.R. Chen;C.C. Tsai;L.T. Chang;C.Y. Chan
國立中山大學	2006	Improvement of Hydrogenated Amorphous Silicon TFT Performances With Low-k Siloxane-Based Hydrogen Silsesquioxane (HSQ) Passivation Layer	T.S. Chang;T.C. Chang;P.T. Liu;T.S. Chang;C.H. Tu;F.S. Yeh
國立中山大學	2006	High-performance polycrystalline silicon thin-film transistors with oxide–nitride–oxide gate dielectric and multiple nanowire channels	S.C. Chen;T.C. Chang;P.T. Liu;Y.C. Wu;C.C. Tsai;T.S. Chang;Chen-Hsin Lien
國立中山大學	2005	Improvement of reliability for polycrystalline thin film transistor using self-aligned fluorinated silica glass spacers	C.H. Tu;T.C. Chang;P.T. Liu;H.W. Zan;Y.H. Tai;Y.C. Wu;C.Y. Chang
國立中山大學	2005	Effects of oxygen plasma ashing on barrier dielectric SiCN film	C.W. Chen;T.C. Chang;P.T. Liu;T.S. Tsai;T.Y. Tseng
國立中山大學	2005	Low power device with NiSi2 nanocrystals embedded in silicon dioxide layer	P.H. Yen;C.H. Yu;L.J. Chen;H.H. Wu;P.T. Liu;T.C. Chang
國立中山大學	2005	Damage effect of fluorine implantation on PECVD alpha-SiOC barrier dielectric	F.M. Yang;T.C. Chang;P.T. Liu;C.W. Chen;Y.H. Tai;J.C. Lou
國立中山大學	2005	An interfacial investigation of high dielectric constant material hafnium oxide on Si substrate	S.C. Chen;J.C. Lou;C.H. Chien;P.T. Liu;T.C. Chang
國立中山大學	2005	High performance hydrogenated amorphous Si TFT for AMLCD and AMOLED	C.W. Chen;T.C. Chang;P.T. Liu;T.Y. Tseng
國立中山大學	2005	Leakage conduction behavior in electron-beam-cured nanoporous silicate films	P.T. Liu;T.M. Tsai;T.C. Chang
國立中山大學	2005	A novel distributed charge storage element fabricated by the oxidation of amorphous silicon carbide	T.C. Chang;S.T. Yan;Y.T. Chen;P.T. Liu;S.M. Sze
國立中山大學	2005	Electrical degradation of n-channel poly-si TFT under AC stress	C.W. Chen;T.C. Chang;P.T. Liu;H.Y. Lu;C.F. Weng;C.W. Hu;T.Y. Tseng
國立中山大學	2005	Effects of channel width on electrical characteristics of polysilicon TFTs with nanowire channel	Y.C. Wu;T.C. Chang;P.T. Liu;C.S. Chen;C.H. Tu;H.W. Zan;Y.H. Tai;C.Y. Chang
國立中山大學	2005	Reduction of leakage current in metal-induced lateral crystallization polysilicon TFTs with dual-gate and multiple nanowire channel	Y.C. Wu;T.C. Chang;P.T. Liu;C.W. Chou;Y.C. Wu;C.H. Tu;C.Y. Chang
國立中山大學	2005	Electron charging and discharging effects of tungsten nanocrystals embedded in silicon dioxide for low voltage nonvotatile memeory technology	T.C. Chang;P.T. Liu;S.T. Yan;S.M. Sze
國立中山大學	2005	Effects of channel width and NH3 plasma passivation on electrical characteristics of polysilicon thin-flim transistors by pattern-dependent metal-induced lateral crystallization	Y.C. Wu;T.C. Chang;C.W. Chen;Y.C. Wu;P.T. Liu;C.H. Tu;C.Y. Chang

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