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机构 日期 题名 作者
國立中山大學 2005 Electrical degradation of n-channel poly-si TFT under AC stress C.W. Chen;T.C. Chang;P.T. Liu;H.Y. Lu;C.F. Weng;C.W. Hu;T.Y. Tseng
國立中山大學 2005 Effects of channel width on electrical characteristics of polysilicon TFTs with nanowire channel Y.C. Wu;T.C. Chang;P.T. Liu;C.S. Chen;C.H. Tu;H.W. Zan;Y.H. Tai;C.Y. Chang
國立中山大學 2005 Reduction of leakage current in metal-induced lateral crystallization polysilicon TFTs with dual-gate and multiple nanowire channel Y.C. Wu;T.C. Chang;P.T. Liu;C.W. Chou;Y.C. Wu;C.H. Tu;C.Y. Chang
國立中山大學 2005 Electron charging and discharging effects of tungsten nanocrystals embedded in silicon dioxide for low voltage nonvotatile memeory technology T.C. Chang;P.T. Liu;S.T. Yan;S.M. Sze
國立中山大學 2005 Effects of channel width and NH3 plasma passivation on electrical characteristics of polysilicon thin-flim transistors by pattern-dependent metal-induced lateral crystallization Y.C. Wu;T.C. Chang;C.W. Chen;Y.C. Wu;P.T. Liu;C.H. Tu;C.Y. Chang
國立中山大學 2005 Memeory effect of oxide/ oxygen-incorporated silicon carbide/ oxide sandwiched structure T.C. Chang;P.T. Liu;S.T. Yan;F.M. Yang;S.M. Sze
國立中山大學 2005 Enhanced performance of poly-Si thin film transistors using fluorine ion implantation C.H. Tu;T.C. Chang;P.T. Liu;H.W. Zan;Y.H. Tai;Y.C. Wu;C.Y. Chang
國立中山大學 2005 Mobility enhancement of polycrystalline-Si thin-film transistor using nanowire channels by pattern-dependent metal-induced lateral crystallization Y.C. Wu;T.C. Chang;P.T. Liu;Y.C. Wu;C.W. Chou;C.Y. Chang
國立中山大學 2004 Method to improve chemical-mechanical-planarization polishing rate of low-k methyl-silsesquiazane for ultralarge scale integrated interconnect application T.C. Chang;T.M. Tsai;P.T. Liu;S.T. Yan;Y.C. Chang;H. Aoki;S.M. Sze;T.Y. Tseng
國立中山大學 2004 Study on the effect of electron beam curing on low-K porous organosilicate glass (OSG) material T.C. Chang;T.M. Tsai;P.T. Liu;C.W. Chen;T.Y. Tseng

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