臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
國立中山大學	2005	Damage effect of fluorine implantation on PECVD alpha-SiOC barrier dielectric	F.M. Yang;T.C. Chang;P.T. Liu;C.W. Chen;Y.H. Tai;J.C. Lou
國立中山大學	2005	An interfacial investigation of high dielectric constant material hafnium oxide on Si substrate	S.C. Chen;J.C. Lou;C.H. Chien;P.T. Liu;T.C. Chang
國立中山大學	2005	High performance hydrogenated amorphous Si TFT for AMLCD and AMOLED	C.W. Chen;T.C. Chang;P.T. Liu;T.Y. Tseng
國立中山大學	2005	Leakage conduction behavior in electron-beam-cured nanoporous silicate films	P.T. Liu;T.M. Tsai;T.C. Chang
國立中山大學	2005	A novel distributed charge storage element fabricated by the oxidation of amorphous silicon carbide	T.C. Chang;S.T. Yan;Y.T. Chen;P.T. Liu;S.M. Sze
國立中山大學	2005	Electrical degradation of n-channel poly-si TFT under AC stress	C.W. Chen;T.C. Chang;P.T. Liu;H.Y. Lu;C.F. Weng;C.W. Hu;T.Y. Tseng
國立中山大學	2005	Effects of channel width on electrical characteristics of polysilicon TFTs with nanowire channel	Y.C. Wu;T.C. Chang;P.T. Liu;C.S. Chen;C.H. Tu;H.W. Zan;Y.H. Tai;C.Y. Chang
國立中山大學	2005	Reduction of leakage current in metal-induced lateral crystallization polysilicon TFTs with dual-gate and multiple nanowire channel	Y.C. Wu;T.C. Chang;P.T. Liu;C.W. Chou;Y.C. Wu;C.H. Tu;C.Y. Chang
國立中山大學	2005	Electron charging and discharging effects of tungsten nanocrystals embedded in silicon dioxide for low voltage nonvotatile memeory technology	T.C. Chang;P.T. Liu;S.T. Yan;S.M. Sze
國立中山大學	2005	Effects of channel width and NH3 plasma passivation on electrical characteristics of polysilicon thin-flim transistors by pattern-dependent metal-induced lateral crystallization	Y.C. Wu;T.C. Chang;C.W. Chen;Y.C. Wu;P.T. Liu;C.H. Tu;C.Y. Chang

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