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机构 日期 题名 作者
國立中山大學 2004 Structrual characteristics and interfacial reactions of low dielectric constant porous polysilazane for Cu metallization J.H. Wang;P.T. Liu;T.C. Chang;L.J. Chen
國立中山大學 2004 CMP of ultra low-k Methylsilsesquiazane with oxygen plasma treatment for multilevel interconnect applications T.C. Chang;T.M. Tsai;P.T. Liu;C.W. Chen;S.T. Yan;H. Aoki;T.Y. Tseng
國立中山大學 2004 Method to improve chemical-mechanical-planarization polishing rate of low-k methyl-silsesquiazane for ultralarge scale integraged interconnect application T.C. Chang;T.M. Tsai;P.T. Liu;Y.C. Chang;J. Aoki;S.M. Sze;T.Y. Tseng
國立中山大學 2004 Quasisuperlattice storage: A concept of multilevel charge stoage T.C. Chang;S.T. Yan;P.T. Liu;C.W. Chen;H.H. Wu;S.M. Sze
國立中山大學 2004 Cu-penetration induced breakdown mechanism for a-SiCN C.W. Chen;P.T. Liu;T.C. Chang;J.H. Yang;T.M. Tsai;H.H. Wu;T.Y. Tseng
國立中山大學 2004 Leakage behavior of the quasi-superlattice stack for multilevel charge storage T.C. Chang;S.T. Yan;P.T. Liu;C.W. Chen;H.H. Wu;S.M. Sze
國立中山大學 2004 Investigation of the electrical properties and reliability of amorphous SiCN C.W. Chen;T.C. Chang;P.T. Liu;T.M. Tsai;C.H. Huang;J.M. Chen;T.Y. Tseng
國立中山大學 2004 Short-Channel Poly-Si thin film transistors with ultrathin chanel and self-alinged tungsten-clad source/drain H.W. Zan;T.C. Chang;S.P. Shih;D.Z. Peng;P.Y. Kuo;T.Y. Huang;C.Y.C. Chang;P.T. Liu
國立中山大學 2004 Quasisuperlattice storage: A concept of multilevel charge stoage T.C. Chang;S.T. Yan;P.T. Liu;C.W. Chen;H.H. Wu;S.M. Sze
國立中山大學 2004 A method of fabricating superior oxide/nitride/oxide gate stack T.C. Chang;S.T. Yan;P.T. Liu;C.W. Chen;S.H. Lin;S.M. Sze

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