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机构 日期 题名 作者
國立中山大學 2004 Leakage behavior of the quasi-superlattice stack for multilevel charge storage T.C. Chang;S.T. Yan;P.T. Liu;C.W. Chen;H.H. Wu;S.M. Sze
國立中山大學 2004 Investigation of the electrical properties and reliability of amorphous SiCN C.W. Chen;T.C. Chang;P.T. Liu;T.M. Tsai;C.H. Huang;J.M. Chen;T.Y. Tseng
國立中山大學 2004 Short-Channel Poly-Si thin film transistors with ultrathin chanel and self-alinged tungsten-clad source/drain H.W. Zan;T.C. Chang;S.P. Shih;D.Z. Peng;P.Y. Kuo;T.Y. Huang;C.Y.C. Chang;P.T. Liu
國立中山大學 2004 Quasisuperlattice storage: A concept of multilevel charge stoage T.C. Chang;S.T. Yan;P.T. Liu;C.W. Chen;H.H. Wu;S.M. Sze
國立中山大學 2004 A method of fabricating superior oxide/nitride/oxide gate stack T.C. Chang;S.T. Yan;P.T. Liu;C.W. Chen;S.H. Lin;S.M. Sze
國立中山大學 2004 High performance polycrystalline silicon thin film transistor with multiple nano-wire channels and LDD structure Y.C. Wu;T.C. Chang;P.T. Liu;H.W. Zan;Y.H. Tai
國立中山大學 2004 A novel approach for fabricating germanium nanocrystals for nonvolatile memory application T.C. Chang;S.T. Yan;P.T. Liu;C.W. Chen;S.H. Lin;S.M. Sze
國立中山大學 2004 Study on eching profile of nanoporous silica C.W. Chen;T.C. Chang;P.T. Liu;T.S. Tsai;H.H. Wu;T.Y. Tseng
國立中山大學 2004 Study on the effect of electron beam curing on low-K porous organosilicate glass (OSG) material T.C. Chang;T.M. Tsai;P.T. Liu;C.W. Chen;T.Y. Tseng
國立中山大學 2004 Study on SONOS nonvolatile memeory technology using high-density plasma chemical vapor deposition T.C. Chang;S.T. Yan;P.T. Liu;C.W. Chen;S.H. Lin;S.M. Sze

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