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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2018-01-24T07:41:59Z	藉應變閘極工程及氟電漿處理提升鐵電氧化鋯之單電晶體動態隨機存取記憶體的特性	白昌宗; 張俊彥; 林建中; Pai, Chang-Tsung; Chang, Chun-Yen; Lin, Chien-Chung

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