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國立交通大學 2019-04-02T05:59:15Z ELECTROLUMINESCENCE CHARACTERISTICS AND CURRENT-CONDUCTION MECHANISM OF A SI-C-H-P-I-N THIN-FILM LIGHT-EMITTING-DIODES WITH BARRIER LAYER INSERTED AT P-I INTERFACE JEN, TS; PAN, JW; SHIN, NF; HONG, JW; CHANG, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:04:13Z HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON CARBIDE P-I-N THIN-FILM LIGHT-EMITTING-DIODES WITH BARRIER LAYERS INSERTED AT P-I INTERFACE JEN, TS; PAN, JW; SHIN, NF; TSAY, WC; HONG, JW; CHANG, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:03:45Z ELECTROLUMINESCENCE CHARACTERISTICS AND CURRENT-CONDUCTION MECHANISM OF A SI-C-H-P-I-N THIN-FILM LIGHT-EMITTING-DIODES WITH BARRIER LAYER INSERTED AT P-I INTERFACE JEN, TS; PAN, JW; SHIN, NF; HONG, JW; CHANG, CY

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