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机构	日期	题名	作者
臺大學術典藏	2021-09-02T00:04:18Z	High On-Current 2D nFET of 390 \mu A/\mu m at V_{DS = 1V using Monolayer CVD MoS2 without Intentional Doping	Chou A.-S;Shen P.-C;Cheng C.-C;Lu L.-S;Chueh W.-C;Li M.-Y;Pitner G;Chang W.-H;Wu C.-I;Kong J;Li L.-J;Wong H.-S.P.; Chou A.-S; CHIH-I WU et al.

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