臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
中原大學	2005-09-29	Strain relaxation in InAs/InGaAs quantum dots investigated by photoluminescence and capacitance-voltage profiling	J. F. Chen;R. S. Hsiao;Y. P. Chen;J. S. Wang;J. Y. Chi
中原大學	2005-07	Characterization of electron emission from relaxed InAs quantum dots capped with InGaAs	J. F. Chen;R. S. Hsiao;C. K. Wang;J. S. Wang;J. Y. Chi
國立東華大學	2005	1.3 μm Quantum Dot Vertical Cavity Surface Emitting Laser with External Light Injection	祁錦雲; Jim-Yong Chi; P. C. Peng; Y. H. Chang; H. C. Kuo; W. K. Tsai; Gray Lin;C. T. Lin; H. C. Yu; H. P. Yang; R. S. Hsiao; K. F. Lin;S. Chi; S. C. Wang
國立東華大學	2005	Strain relaxation in InAs/InGaAs quantum dots investigated by photoluminescence and capacitance-voltage profiling	祁錦雲; Jim-Yong Chi; J. F. Chen; R. S. Hsiao; Y. P. Chen; J.S.Wang
國立東華大學	2005	N incorporation into InGaAs cap layer in InAs self-assembled quantum dots	祁錦雲; Jim-Yong Chi; J. F. Chen; R. S. Hsiao; P. C. Hsieh; Y. J. Chen; Y. P. Chen; J. S. Wang; J. Y. Chi
國立東華大學	2005	Single mode InAs quantum dot photonic crystal VCSELs	祁錦雲; Jim-Yong Chi; H.P.D. Yang; Y.H. Chang; F.I. Lai; H.C. Yu; Y.J. Hsu; G. Lin; R.S. Hsiao; H.C. Kuo; S.C. Wang ;J.Y. Chi
國立東華大學	2005	Characterization of self-assembled InAs quantum dots with InAlAs/InGaAs strain-reduced layers by photoluminescence spectroscopy	祁錦雲; Jim-Yong Chi; K. P. Chang; S. L. Yang; D. S. Chuu; R. S. Hsiao; J. F. Chen; L. Wei; J. S. Wang; J. Y. Chi
國立東華大學	2005	MBE growth of high quality vertically coupled InAs/GaAs quantum dots laser emitting around 1.3um	祁錦雲; Jim-Yong Chi; R. S. Hsiao; J. S. Wang; G. Lin; C. Y. Liang; H. Y. Liu; T.W.Chi; J. F. Chen;J. Y. Chi
國立東華大學	2004	The influence of Quantum-dot Period on High Performance InAs/GaAs Quantum0-dot Infrared Photodetectors	祁錦雲; Jim-Yong Chi; S.T. Chou; M. C. Wu; S. Y. Lin; R.S. Hsiao; L.C. Wei; J.S. Wang; J. Y. Chi
國立東華大學	2004	The observatin of Photoluminescence Decay for MBE Grown 1.3 um InGaAsN/GaAs Quantum Well Structure	祁錦雲; Jim-Yong Chi; R.S. Hsiao;C.Y. Liang; S. Y. Lin; J.S. Wang; J.Y. Chi

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