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國立高雄師範大學
2004-12
A 5.25-GHz 0.18-μm CMOS Low Noise Amplifier with a Gain Boosting
Ruey-Lue Wang;Shin-Chin Chen;Ming-Lung Kung;Hen-Cho Hung; 王瑞祿
國立高雄師範大學
2004-12
Low Voltage Low Noise Amplifier For Ultra Wideband Application
Ruey-Lue Wang;Shin-Chin Chen;Hen-Cho Hung;Ming-Lung Kung; 王瑞祿
國立高雄師範大學
2004-08
Automatic Voltage Detection and Conversion Circuit
Ruey-Lue Wang;Guo-Ruey Tsai;Min-Chuan Lin;Kun-Yi Lin; 王瑞祿
國立高雄師範大學
2004-08
低功率多值邏輯記憶體單元晶片之設計
王瑞祿; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學
2004-05-01
數位控制系統設計:使用VHDL
林明權;王瑞祿;蔡國瑞;黃俊岳;陳朝烈; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學
2004-05
Improved CMOS Mems Process and CMOS Compatibility Test
Ruey-Lue Wang;F. Y. Xiao;Y. Z. Juang;C. F. Chiu;C. Y. Lee;P. Z. Chang;C. H. Tu; 王瑞祿
國立高雄師範大學
2004-05
以EM輔助設計之2.4GHz全晶片式低雜訊放大器
Ruey-Lue Wang; 王瑞祿
國立高雄師範大學
2004-05
5.2 GHz WLAN SiGe Power Amplifier with On-chip Linear ization
Ruey-Lue Wang; 王瑞祿
國立高雄師範大學
2004-05
南部科學園區路竹基地專案---無線通訊網路測試環境及效能評估
王瑞祿;張順雄;謝金原;葉旻彥;賴正男;楊誌欽;張永昇;陸瑞漢; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學
2003-11
Adjustable- NDR-Characteristics Three-terminal CMOS Circuits
Ruey-Lue Wang;Huang-Wei Chen;Shih-Chieh Liao;Zhu-Shang Wei; 王瑞祿
國立高雄師範大學
2003-11
Low-frequency Noise of GaN-Based Heterostructure Field Effect Transistors with Si-doped AlGaN Carrier Injection Layer
Ruey-Lue Wang;Sun-Chin Wei;Yan-Kuin Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學
2003-11
Investigation of Copper Process by Using PVD
Ruey-Lue Wang;Ming-Chang Kuo;Yan-Kuin Su;Sun-Chin Wei;Shih-Chieh Hung;Kuo-Chun Huang; 王瑞祿
國立高雄師範大學
2003-08
氮化鎵系高電子移動率場效電晶體之電特性與雜訊特性及等效電路模型之研究
王瑞祿; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學
2003
Flicker Noise of GaN-Based Heterostructure Field Effect Transistors with Si-doped AlGaN Carrier Injection Layer
Ruey-Lue Wang;Yan-Kuin Su;Sun-Chin Wei; 王瑞祿
國立高雄師範大學
2003
Investigation of Low-Frequency Noise of GaN-Based Hetrostructure Field-Effect Transistors
Ruey-Lue Wang;S. C. Wey;Y. K. Su;T. M. Kuan;R. L. Wang;S. J. Chang;C. H. Ko; 王瑞祿
國立高雄師範大學
2002-12
A Novel MOS-NDR Subcircuit Using Depletion-Mode and Enhancement-mode MOSFETs and its Application on Circuits
Ruey-Lue Wang;H. W. Chen; 王瑞祿
國立高雄師範大學
2002-12
Leakage Current Improvement of AlGaN/GaN HFETs by High Resistive Mg-Doped GaN Layer
Ruey-Lue Wang;S. C. Wei;Y. K. Su;S. J. Chang;R. L. Wang;T. H. Hsu; 王瑞祿
國立高雄師範大學
2002-05
產學合作計劃---砷化鎵系之銅製程及HBT大信號模型之研究(II)
王瑞祿;蘇炎坤; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學
2002-04
以硫化銨處理改善?化鎵/?化鋁鎵HBT之電流增益
Ruey-Lue Wang; 王瑞祿;陳文章;林明權
國立高雄師範大學
2002-04
電流模式類比乘法器及其在振幅調變/解調變之應用
Ruey-Lue Wang; 王瑞祿;洪偉銘;簡崇炫;陳皇瑋
國立高雄師範大學
2002
Stability of Measurement of Heterostructure Bipolar Transistors Current-Voltage Characteristics with Thermal Effect
Ruey-Lue Wang;S. C. Wei;Y. K. Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學
2002
Current gain improvement of the AlGaAs/GaAs Hetero-junction Bipolar Transistor by Ammonium sulfide treatment
Ruey-Lue Wang; 王瑞祿;陳力民;廖森茂;蘇炎坤;魏上欽;林俊良;陳文章;王永昇
國立高雄師範大學
2001-12
Thermal Impedance Variation of HBT with High Junction Temperature
Ruey-Lue Wang;S. C. Wey;Y. K. Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學
2001-11
Current gain improvement of the AlGaAs/GaAs Hetero-junction Bipolar Transistors
Ruey-Lue Wang; 王瑞祿;陳力民;廖森茂;蘇炎坤;魏上欽;林俊良;王瑞祿;陳文章;王永昇
國立高雄師範大學
2001-11
由電壓對電流現象決定磷化銦鎵/砷化鎵HBT之射極平臺蝕刻終點
Ruey-Lue Wang; 王瑞祿;陳力民;廖森茂;蘇炎坤;魏上欽;林俊良;王瑞祿;陳文章;王永昇
國立高雄師範大學
2001-02
產學合作計劃---砷化鎵系之銅製程及HBT大信號模型之研究(I)
王瑞祿; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學
2000-08
砷化鎵系之HEMT/HBT微波元件與電路製程之研究---總計畫(III)
蘇炎坤;王瑞祿;王永和; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學
2000-08
砷化鎵之HEME/HBT微波元件 與電路製程之研究---子計畫三:砷化鎵之被動元件與特殊製程及寄生效應之研究(III)
王瑞祿; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學
1999-08
砷化鎵系之HEMT/HBT微波元件與電路製程之研究---總計畫(II)
王瑞祿;蘇炎坤;王永和; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學
1999-08
砷化鎵之HEME/HBT微波元件與電路製程之研究---子計畫III:砷化鎵之被動元件與特殊製程及寄生效應之研究(II)
王瑞祿; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學
1998-08
GaAs MMIC被動元件與MESFET偏壓電路之研製
王瑞祿; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學
1998-08
GaAs-Based微波主動元件之研究---子計畫III:HBT高頻元件等效電路之研究
王瑞祿; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學
1998-08
GaAs-Based微波主動元件之研究---總計畫
蘇炎坤;王永和;王瑞祿; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學
1998
Simulation and Analysis of Negative Differential Resistance Devices and Circuits by Load-line Method and PSPICE
Ruey-Lue Wang;K. J. Gan;Y. K. Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學
1997-08
MMIC微波主動元件之研製
蘇炎坤;王永和;王瑞祿; Ruey-Lue Wang
國立高雄師範大學
1997
Modeling of Three-peak Current-voltage Characteristics with Two Resonant Tunneling Diodes Connected in Series
Ruey-Lue Wang;K. J. Gan;Y. K. Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學
1995
The St udy of GaAs/InGaAs Delta-doping Resnant Interband Tunneling Diode
Ruey-Lue Wang;C. C. Yang;K. C. Huang;Y. K. Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學
1994
P-N Double Quantum Well Resonant Interband Tunneling Diode with Peak-to-valley Current Ratio of 144 At Room Temperature
Ruey-Lue Wang;H. H. Tsai;Y. K. Su;H. H. Lin;T.L. Lee; 王瑞祿
國立高雄師範大學
1993
Delta-Doping Inter band Tunneling diode by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
Ruey-Lue Wang;Y. K. Su;R. L. Wang;H. H. Tsai; 王瑞祿
國立高雄師範大學
1993
Double Quantum Well Resonant Tunneling Diode
Ruey-Lue Wang;H. H. Tsai;Y. K. Su;T. S. Wu;C. H. Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學
1992
The Current-Voltage Characteristics of a Delta-Doped Triple-Barrier Switch
Ruey-Lue Wang;Y. K. Su;C. H. Su;H.H. Tsai; 王瑞祿
國立高雄師範大學
1992
The Switching Characteristics in Sawtooth Type Superlattice with Asymmetric Doping
Ruey-Lue Wang;H. H. Tsai;Y. K. Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學
1992
Delta-Doped Layer and Related Interband Tunnelin Giode by MOCVD
Ruey-Lue Wang;Y. K. Su;H. H. Tsai;C.H. Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學
1992
GaAs Negative Differential Resistance Devices
Ruey-Lue Wang;Y. K. Su;H. H. Tsai; 王瑞祿
國立高雄師範大學
1992
Delta-Doped Triple-Barrier Switching Device
Ruey-Lue Wang;T. S. Wu;Y. K. Su;H. H. Tsai; 王瑞祿
國立高雄師範大學
1991
Negative Differential Resistance in GaAs Delta-Doping Tunneling Diodes
Ruey-Lue Wang;Y. K. Su;Y. H. Wang; 王瑞祿
國立高雄師範大學
1990-06
A Novel Negative Differential Resistance in Delta-Doping Induced Homojunction Double Barrier Quantum Well Diode
Ruey-Lue Wang;Y. K. Su;Y. H. Wang;K. F. Yarn; 王瑞祿
國立高雄師範大學
1990
Negative differential resistance of a delta-doping-induced double-barrier quantum-well diode at room temperature
Ruey-Lue Wang;Y. K. Su;Y. H. Wang;K. F. Yarn; 王瑞祿
國立高雄師範大學
1990
Electronic Transport in Graded-Period Delta-Doped Superlattice
Ruey-Lue Wang;W. C. Liu;W. S. Lour;C. Y. Sun;C. C. Hong; 王瑞祿
國立高雄師範大學
1989
Superlattice gate power MESFET grown by MBE
Ruey-Lue Wang;W. C. Liu;C.Y. Chang;W. C. Hsu;W. S. Lour; 王瑞祿
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