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机构	日期	题名	作者
南台科技大學	2005	Comparison of low-temperature GaN, SiO2, and SiNx as gate insulators on AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors	李明倫; C. J. Kao; M. C. Chen; C.J. Tun; G. C. Chi; J. K. Sheu; W. C. Lai; M. L. Lee; F.Ren; S.J.Pearton

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