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机构 日期 题名 作者
臺大學術典藏 2018-09-10T15:25:58Z Floating-body-correlated subthreshold behavior of SOI NMOS device considering back-gate-bias effect S. K. Hu;J. B. Kuo;Y. J. Chen; S. K. Hu; J. B. Kuo; Y. J. Chen; JAMES-B KUO
臺大學術典藏 2018-09-10T15:25:58Z Floating-body-correlated subthreshold behavior of SOI NMOS device considering back-gate-bias effect S. K. Hu;J. B. Kuo;Y. J. Chen; S. K. Hu; J. B. Kuo; Y. J. Chen; JAMES-B KUO
臺大學術典藏 2018-09-10T15:25:58Z Analysis of Subthreshold Behavior of SOI NMOS De ice Considering Back-Gate-Bias-Related Flaoting Body Effect S. K. Hu;J. B. Kuo; S. K. Hu; J. B. Kuo; JAMES-B KUO
臺大學術典藏 2018-09-10T15:25:58Z Analysis of Subthreshold Behavior of SOI NMOS De ice Considering Back-Gate-Bias-Related Flaoting Body Effect S. K. Hu;J. B. Kuo; S. K. Hu; J. B. Kuo; JAMES-B KUO
臺大學術典藏 2018-09-10T15:00:18Z Parasitic BJT versus DIBL: Floating-Body-Related Subthreshold Characteristics of SOI NMOS Device D. H. Lung;S. K. Hu;J. B. Kuo;D. Chen; D. H. Lung; S. K. Hu; J. B. Kuo; D. Chen; JAMES-B KUO
臺大學術典藏 2018-09-10T15:00:18Z Parasitic BJT versus DIBL: Floating-Body-Related Subthreshold Characteristics of SOI NMOS Device D. H. Lung;S. K. Hu;J. B. Kuo;D. Chen; D. H. Lung; S. K. Hu; J. B. Kuo; D. Chen; JAMES-B KUO
臺大學術典藏 2018-09-10T15:00:17Z Back-Gate-Baias Induced Floating-Body-Related Subthreshold Characteristics of SOI NMOS Device S. K. Hu;D. H. Lung;J. B. Kuo;D. Chen; S. K. Hu; D. H. Lung; J. B. Kuo; D. Chen; JAMES-B KUO
臺大學術典藏 2018-09-10T15:00:17Z Back-Gate-Baias Induced Floating-Body-Related Subthreshold Characteristics of SOI NMOS Device S. K. Hu;D. H. Lung;J. B. Kuo;D. Chen; S. K. Hu; D. H. Lung; J. B. Kuo; D. Chen; JAMES-B KUO

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