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机构 日期 题名 作者
國立中山大學 2005-10 Effect of La3+-dopant on the characteristics of lead titanate sensing membrane for ion-sensitive field-effect transistor S.S. Jan;Y.C. Chen;J.C. Chou
國立中山大學 2005 Effect of Mg2+-dopant on the Characteristics of Lead Titanate Sensing Membrane for Ion-sensitive Field-effect Transistors S.S. Jan; Y.C. Chen; J.C. Chou
國立中山大學 2004-01 Effect of Mg2+-dopant on the characteristics of lead titanate sensing membrane for ion-sensitive field-effect transistors Y.C. Chen;S.S. Jan;J.C. Chou
國立中山大學 2004 Temperature Effect on the Characteristics of Hydrogen Ion-Sensitive Field-Effect Transistors with Sol-Gel-Derived Lead Titanate Gates Y.C. Chen; S.S. Jan; J.C. Chou
國立中山大學 2003 Preparation and Properties of Hydrogen Ion-Sensitive Field Effect Transistors with Sol-Gel-Derived Mg-modified Lead Titanate Gate S.S. Jan; Y.C. Chen; J.C. Chou; P.P. Jan; C.C. Cheng
國立中山大學 2002 Characteristics of the Hydrogen Ion-Sensitive Field-Effect Transistors with Sol-Gel-Derived Lead Titanate Gate S.S. Jan; J.L. Chiang; Y.C. Chen; J.C. Chou; C.C. Cheng
國立中山大學 2002 Preparation and Properties of Lead Titanate Gate Ion-Sensitive Field-Effect Transistors by the Sol-Gel Method S.S. Jan; Y.C. Chen; J.C. Chou; C.C. Cheng; C.T. Lu
國立中山大學 2002 Nonideal Factors of Ion-Sensitive Field-Effect Transistors with Lead Titanate Gate S.S. Jan; Y.C. Chen; J.C. Chou; C.C. Cheng; L.T. Lu

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