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"shen k c"的相关文件
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| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T06:25:07Z |
Surface plasmon coupling with an InGaN/GaN quantum well for enhancing light emission efficiency
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Lu, Y.-C.; Chen, C.-Y.; Yeh, D.-M.; Shen, K.-C.; Huang, C.-F.; Yang, C.C.; CHIH-CHUNG YANG |
| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T06:25:06Z |
Surface plasmon leakage in its coupling with an InGaNGaN quantum well through an Ohmic contact
|
Yeh, D.-M.; Huang, C.-F.; Lu, Y.-C.; Chen, C.-Y.; Tang, T.-Y.; Huang, J.-J.; Shen, K.-C.; Yang, Y.-J.; Yang, C.C.; CHIH-CHUNG YANG |
| 大葉大學 |
2011-12-15 |
Study of 375 nm ultraviolet InGaN/AlGaN light-emitting diodes with heavily Si-doped GaN transition layer in growth mode, internal quantum efficiency and device performance
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Huang, S.C.;Shen, K.C.;Wuu, Dong-Sing;Tu, P.M.;Kuo, H.C.;Tu, C.C.;Horng, R.H. |
| 國立臺灣科技大學 |
2009 |
A 5.2 GHz low power VCO in 0.18 μm CMOS process
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Jang S.-L.; Shen K.-C.; Liu C.-C. |
| 國立臺灣科技大學 |
2009 |
A six-phase divide-by-3 injection locked frequency divider in SiGe BiCMOS technology
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Jang S.-L.; Shen K.-C.; Chang C.-W.; Juang M.-H. |
| 國立臺灣科技大學 |
2009 |
A differential VCO using the drain-connected-to-body MOSFET
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Jang S.-L.; Chang C.-W.; Suchen M.-H.; Shen K.-C. |
| 國立臺灣科技大學 |
2009 |
A 5.2 GHz LOW POWER VCO IN 0.18 mu m CMOS PROCESS
|
Jang, S.L.;Shen, K.C.;Liu, C.C. |
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