English  |  正體中文  |  简体中文  |  总笔数 :2822924  
造访人次 :  30082305    在线人数 :  1260
教育部委托研究计画      计画执行:国立台湾大学图书馆
 
臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)
关于TAIR

浏览

消息

著作权

相关连结

"shieh t c"的相关文件

回到依作者浏览
依题名排序 依日期排序

显示项目 1-4 / 4 (共1页)
1 
每页显示[10|25|50]项目

机构 日期 题名 作者
臺大學術典藏 2018-09-10T15:23:22Z Junctionless Gate-all-around pFETs on Si with In-situ doped Ge channel Chen, Y.-T.; Huang, S.-H.; Tu, W.-H.; Huang, C.-H.; Chen, Y.-S.; Shieh, T.-C.; Liu, C.W.; CHEE-WEE LIU; Wong, I.-H.;Chen, Y.-T.;Huang, S.-H.;Tu, W.-H.;Huang, C.-H.;Chen, Y.-S.;Shieh, T.-C.;Liu, C.W.; Wong, I.-H.
臺大學術典藏 2018-09-10T15:23:22Z Junctionless Gate-all-around pFETs on Si with In-situ doped Ge channel Chen, Y.-T.; Huang, S.-H.; Tu, W.-H.; Huang, C.-H.; Chen, Y.-S.; Shieh, T.-C.; Liu, C.W.; CHEE-WEE LIU; Wong, I.-H.;Chen, Y.-T.;Huang, S.-H.;Tu, W.-H.;Huang, C.-H.;Chen, Y.-S.;Shieh, T.-C.;Liu, C.W.; Wong, I.-H.
臺大學術典藏 2018-09-10T15:23:22Z In-situ doped and tensily stained ge junctionless gate-all-around nFETs on SOI featuring I<inf>on</inf> = 828 μa/μm, I<inf>on</inf>/I<inf>off</inf> ? 1×10<sup>5</sup>, DIBL= 16-54 mV/V, and 1.4X external strain enhancement CHEE-WEE LIU; Liu, C.W.; Lan, H.-S.; Wong, I.-H.;Chen, Y.-T.;Huang, S.-H.;Tu, W.-H.;Chen, Y.-S.;Shieh, T.-C.;Lin, T.-Y.;Lan, H.-S.;Liu, C.W.; Wong, I.-H.; Chen, Y.-T.; Huang, S.-H.; Tu, W.-H.; Chen, Y.-S.; Shieh, T.-C.; Lin, T.-Y.
臺大學術典藏 2018-09-10T15:23:22Z In-situ doped and tensily stained ge junctionless gate-all-around nFETs on SOI featuring I<inf>on</inf> = 828 μa/μm, I<inf>on</inf>/I<inf>off</inf> ? 1×10<sup>5</sup>, DIBL= 16-54 mV/V, and 1.4X external strain enhancement CHEE-WEE LIU; Liu, C.W.; Lan, H.-S.; Wong, I.-H.;Chen, Y.-T.;Huang, S.-H.;Tu, W.-H.;Chen, Y.-S.;Shieh, T.-C.;Lin, T.-Y.;Lan, H.-S.;Liu, C.W.; Wong, I.-H.; Chen, Y.-T.; Huang, S.-H.; Tu, W.-H.; Chen, Y.-S.; Shieh, T.-C.; Lin, T.-Y.

显示项目 1-4 / 4 (共1页)
1 
每页显示[10|25|50]项目