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臺大學術典藏 2018-09-10T15:23:22Z Junctionless Gate-all-around pFETs on Si with In-situ doped Ge channel Chen, Y.-T.; Huang, S.-H.; Tu, W.-H.; Huang, C.-H.; Chen, Y.-S.; Shieh, T.-C.; Liu, C.W.; CHEE-WEE LIU; Wong, I.-H.;Chen, Y.-T.;Huang, S.-H.;Tu, W.-H.;Huang, C.-H.;Chen, Y.-S.;Shieh, T.-C.;Liu, C.W.; Wong, I.-H.
臺大學術典藏 2018-09-10T15:23:22Z Junctionless Gate-all-around pFETs on Si with In-situ doped Ge channel Chen, Y.-T.; Huang, S.-H.; Tu, W.-H.; Huang, C.-H.; Chen, Y.-S.; Shieh, T.-C.; Liu, C.W.; CHEE-WEE LIU; Wong, I.-H.;Chen, Y.-T.;Huang, S.-H.;Tu, W.-H.;Huang, C.-H.;Chen, Y.-S.;Shieh, T.-C.;Liu, C.W.; Wong, I.-H.
臺大學術典藏 2018-09-10T15:23:22Z In-situ doped and tensily stained ge junctionless gate-all-around nFETs on SOI featuring I<inf>on</inf> = 828 μa/μm, I<inf>on</inf>/I<inf>off</inf> ? 1×10<sup>5</sup>, DIBL= 16-54 mV/V, and 1.4X external strain enhancement CHEE-WEE LIU; Liu, C.W.; Lan, H.-S.; Wong, I.-H.;Chen, Y.-T.;Huang, S.-H.;Tu, W.-H.;Chen, Y.-S.;Shieh, T.-C.;Lin, T.-Y.;Lan, H.-S.;Liu, C.W.; Wong, I.-H.; Chen, Y.-T.; Huang, S.-H.; Tu, W.-H.; Chen, Y.-S.; Shieh, T.-C.; Lin, T.-Y.
臺大學術典藏 2018-09-10T15:23:22Z In-situ doped and tensily stained ge junctionless gate-all-around nFETs on SOI featuring I<inf>on</inf> = 828 μa/μm, I<inf>on</inf>/I<inf>off</inf> ? 1×10<sup>5</sup>, DIBL= 16-54 mV/V, and 1.4X external strain enhancement CHEE-WEE LIU; Liu, C.W.; Lan, H.-S.; Wong, I.-H.;Chen, Y.-T.;Huang, S.-H.;Tu, W.-H.;Chen, Y.-S.;Shieh, T.-C.;Lin, T.-Y.;Lan, H.-S.;Liu, C.W.; Wong, I.-H.; Chen, Y.-T.; Huang, S.-H.; Tu, W.-H.; Chen, Y.-S.; Shieh, T.-C.; Lin, T.-Y.

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