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機構	日期	題名	作者
臺大學術典藏	2022-02-21T23:30:43Z	Atomic layer annealing for modulation of the work function of TiN metal gate for n-type MOS devices	Wang, Chun Yuan; Chou, Chun Yi; Shiue, Han Fang; Chen, Hsing Yang; Ling, Chen Hsiang; Shyue, Jing Jong; MIIN-JANG CHEN

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