| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:50Z |
次100奈米SOI CMOS的RF/Analog特性分析與模式建立(I)
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蘇彬; Su Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:32Z |
一個用於部分與完全解離絕緣矽電路模擬的統整元件模型---65奈米SOI CMOS基體源極內建能障降低的探討
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蘇彬; Su Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:30:21Z |
次100奈米SOI CMOS的RF/Analog特性分析與模式建立(II)
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蘇彬; Su Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:57Z |
次50奈米Multiple-Gate SOI CMOS的特性分析與模式建立
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蘇彬; Su Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:23Z |
鰭狀、穿隧場效電晶體和異質通道三維積體超薄層元件於超低功耗靜態隨機存取記憶體和邏輯電路之設計與分析
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范銘隆; Fan, Ming-Long; 蘇彬; Su, Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:17Z |
三五族碎能隙異質接面穿隧式場效電晶體之隨機變易特性的模擬與探討
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徐誌緯; Hsu, Chie-Wei; 蘇彬; Su, Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:38:10Z |
藉由三維沃爾洛伊圖對於隨機晶格邊界在可堆疊NAND記憶體造成的變異特性之模擬與分析
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楊青維; Yang, Ching-Wei; 蘇彬; Su, Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:26:31Z |
矽奈米尺寸金氧半場效電晶體的載子傳輸與重要元件參數之實驗性的研究
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李維; Lee, Wei; 蘇彬; Su, Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:46:22Z |
量子侷限效應對超薄絕緣鍺與砷化銦鎵金氧半場效電晶體的次臨界與後端閘極偏壓調變臨界電壓特性之理論研究
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余昌鴻; Yu, Chang-Hung; 蘇彬; Su, Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:05Z |
矽奈米線生物感測器之分析與模擬
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呂昆諺; Lu,Kun-Yen; 蘇彬; Su, Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:24:36Z |
先進CMOS元件結構的解析模型建立－量子侷限效應及製程變異敏感度之探討
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吳育昇; Wu, Yu-Sheng; 蘇彬; Su, Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:24:36Z |
矽奈米金氧半場效電晶體之汲極電流匹配與低頻雜訊研究及分析
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郭俊延; Kuo, Jyun-Yan Jack; 蘇彬; Su, Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:22:36Z |
單軸應變矽奈米尺寸金氧半場效電晶體對於載子遷移率之各種散射機制的實驗性研究
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陳柏年; Chen, Po-Nien; 蘇彬; Su, Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:22:36Z |
先進金氧半場效電晶體考慮溫度相依之高頻小訊號及雜訊特性分析
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王生圳; Wang, Sheng-Chun; 蘇彬; Su, Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:22:33Z |
超薄層矽及鍺通道元件、邏輯電路及靜態隨機存取記憶體之研究與分析
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胡璧合; Hu, Pi-Ho; 蘇彬; Su, Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:48:22Z |
Temperature-Dependent RF Small-Signal and Noise Characteristics of SOI Dynamic Threshold Voltage MOSFETs
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Wang, Sheng-Chun; Su, Pin; Chen, Kun-Ming; Liao, Kuo-Hsiang; Chen, Bo-Yuan; Huang, Sheng-Yi; Hung, Cheng-Chou; Huang, Guo-Wei |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:48:17Z |
A Comprehensive Study of Single-Electron Effects in Multiple-Gate MOSFETs
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Lee, Wei; Su, Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:40:43Z |
Radio-Frequency Small-Signal and Noise Modeling for Silicon-on-Insulator Dynamic Threshold Voltage Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
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Wang, Sheng-Chun; Su, Pin; Chen, Kun-Ming; Huang, Sheng-Yi; Hung, Cheng-Chou; Huang, Guo-Wei |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:38:27Z |
Evaluation of Static Noise Margin and Performance of 6T FinFET SRAM Cells with Asymmetric Gate to Source/Drain Underlap Devices
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Hu, Vita Pi-Ho; Fan, Ming-Long; Su, Pin; Chuang, Ching-Te |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:38:26Z |
Independently-Controlled-Gate FinFET Schmitt Trigger Sub-threshold SRAMs
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Hsieh, Chien-Yu; Fan, Ming-Long; Hu, Vita Pi-Ho; Su, Pin; Chuang, Ching-Te |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:38:25Z |
Impact of Surface Orientation on the Sensitivity of FinFETs to Process Variations-An Assessment Based on the Analytical Solution of the Schrodinger Equation
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Wu, Yu-Sheng; Su, Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:38:05Z |
Impact of Quantum Confinement on Short-Channel Effects for Ultrathin-Body Germanium-on-Insulator MOSFETs
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Wu, Yu-Sheng; Hsieh, Hsin-Yuan; Hu, Vita Pi-Ho; Su, Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:37:33Z |
Experimental Investigation of Surface-Roughness-Limited Mobility in Uniaxial Strained pMOSFETs
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Chen, William P. N.; Kuo, Jack J. Y.; Su, Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:36:58Z |
Stability and Performance Optimization of Heterochannel Monolithic 3-D SRAM Cells Considering Interlayer Coupling
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Fan, Ming-Long; Hu, Vita Pi-Ho; Chen, Yin-Nien; Su, Pin; Chuang, Ching-Te |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:36:50Z |
Built-in Effective Body-Bias Effect in Ultra-Thin-Body Hetero-Channel III-V-on-Insulator n-MOSFETs
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Yu, Chang-Hung; Su, Pin |
