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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:43:55Z Elimination of dielectric degradation for chemical-mechanical planarization of low-k hydrogen silisesquioxane Chang, TC; Liu, PT; Tsai, TM; Yeh, FS; Tseng, TY; Tsai, MS; Chen, BC; Yang, YL; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:43:16Z Enhancing the resistance of low-k hydrogen silsesquioxane (HSQ) to wet stripper damage Chang, TC; Mor, YS; Liu, PT; Tsai, TM; Chen, CW; Mei, YJ; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:43:16Z The effect of ammonia plasma treatment on low-k methyl-hybrido-silsesquioxane against photoresist stripping damage Chang, TC; Mor, YS; Liu, PT; Tsai, TM; Chen, CW; Mei, YJ; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:43:16Z Improvement of low dielectric constant methylsilsesquioxane by boron implantation treatment Chang, TC; Mor, YS; Liu, PT; Tsai, TM; Chen, CW; Sze, SM; Mei, YJ
國立交通大學 2014-12-08T15:43:11Z Effectiveness of NH3 plasma treatment in preventing wet stripper damage to low-k hydrogen silsesquioxane (HSQ) Chang, TC; Mor, YS; Liu, PT; Tsai, TM; Chen, CW; Mei, YJ; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:42:46Z Effective strategy for porous organosilicate to suppress oxygen ashing damage Liu, PT; Chang, TC; Mor, YS; Chen, CW; Tsai, TM; Chu, CJ; Pan, FM; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:42:32Z Preventing dielectric damage of low-k organic siloxane by passivation treatment Chang, TC; Mor, YS; Liu, PT; Tsai, TM; Chen, CW; Mei, YJ; Pan, FM; Wu, WF; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:42:15Z Eliminating dielectric degradation of low-k organosilicate glass by trimethylchlorosilane treatment Chang, TC; Liu, PT; Mor, YS; Tsai, TM; Chen, CW; Mei, YJ; Pan, FM; Wu, WF; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:42:14Z Effective repair to ultra-low-k dielectric material (k-2.0) by hexamethyidisilazane treatment Mor, YS; Chang, TC; Liu, PT; Tsai, TM; Chen, CW; Yan, ST; Chu, CJ; Wu, WF; Pan, FM; Lur, W; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:42:08Z Recovering dielectric loss of low dielectric constant organic siloxane during the photoresist removal process Chang, TC; Mor, YS; Liu, PT; Tsai, TM; Chen, CW; Mei, YJ; Sze, SM

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