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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2014-12-08T15:19:02Z	Determining GaInP/GaAs HBT device structure by DC measurements on a two-emitter HBT device and high frequency transit time measurements	Meng, CC; Tsou, BC; Tseng, SC
國立交通大學	2014-12-08T15:17:00Z	The effect of selectively and fully ion-implanted collector on RF characteristics of BJT devices	Meng, CC; Su, JY; Tsou, BC; Huang, GW

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