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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2019-04-02T06:00:03Z Influence of crystal structure on the fatigue properties of Pb1-xLax(Zr-y,Ti-z)O-3 thin films prepared by pulsed-laser deposition technique Lin, WJ; Tseng, TY; Lin, SP; Tu, SL; Chang, H; Yang, SJ
國立交通大學 2019-04-02T05:59:24Z Characteristics of nonalloyed pseudomorphic high electron mobility transistors using InAs/InxGa1-xAs (x=-> 0) AlyGa1-yAs (y=0 -> 0.3) contact structures Chen, SS; Lin, CC; Lan, WH; Tu, SL; Peng, CK
國立交通大學 2014-12-08T15:49:21Z Alterable temperature-dependent wavelength shifts in (InP)(2)/(GaP)(2) quantum wells Cheng, YC; Tai, K; Chou, ST; Huang, KF; Tu, SL
國立交通大學 2014-12-08T15:49:20Z Ordering reduction in In0.5Ga0.5P grown by solid source molecular beam epitaxy Cheng, YC; Tai, KC; Chou, ST; Huang, KF; Tu, SL
國立交通大學 2014-12-08T15:47:17Z Sputtered Cr and reactively sputtered CrNx serving as barrier layers against copper diffusion Chuang, JC; Tu, SL; Chen, MC
國立交通大學 2014-12-08T15:27:23Z Optical image recognition using photorefractive crystal plates Hsieh, ML; Lin, SH; Hsu, KY; Hsieh, TC; Lin, SP; Yeh, TS; Hu, LJ; Tu, SL; Chang, H
國立交通大學 2014-12-08T15:05:44Z INSB P-N-JUNCTION WITH AVALANCHE BREAKDOWN BEHAVIOR TU, SL; HUANG, KF; YANG, SJ
國立交通大學 2014-12-08T15:05:38Z ANOMALOUS DIFFUSION OF CD IN INSB TU, SL; HUANG, KF; YANG, SJ
國立交通大學 2014-12-08T15:05:38Z HIGH BREAKDOWN P-CHANNEL INSB MOSFET TU, SL; LAN, WH; CHIOU, TS; YANG, SJ; HUANG, KF
國立交通大學 2014-12-08T15:05:33Z INFRARED SPECTROSCOPIC STUDY OF MERCURY-SENSITIZED PHOTO-CVD SILICON-OXIDE LAN, WH; TU, SL; YANG, SJ; HUANG, KF

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