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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2014-12-08T15:37:23Z	Molecular-beam-epitaxy growth of high-quality InGaAsN/GaAs quantum well lasers emitting at 1.3 mu m	Wang, JS; Hsiao, RS; Lin, G; Lin, KF; Liu, HY; Lai, CM; Wei, L; Liang, CY; Chi, JY; Kovsh, AR; Maleev, NA; Livshits, DA; Chen, JF; Yu, HC; Ustinov, VM

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