臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
南台科技大學	2005	Aluminum gallium nitride ultraviolet p-i-n photodiodes with buried p-layer structure,Aluminum gallium nitride ultraviolet photodiodes with buried p-layer structure	李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; W. C. Lai
南台科技大學	2005	Effect of low-temperature-grown GaN cap layer on reduced leakage current of GaN Schottky diodes	李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; W. C. Lai
南台科技大學	2005	Effects of thermal annealing on Si-implanted GaN films grown at low temperature by metal-organic vapor-phase	李明倫; J. K. Sheu; S. S. Chen; M. L. Lee; W. C. Lai; W. H. Chang; G. C. Chi
南台科技大學	2005	GaN-based Ultraviolet p-i-n Photodiodes with Buried tunneling junction	李明倫; M. L. Lee; H. H. Chen; J. K. Sheu; W. C. Lai
國立中山大學	2004-01	Characteristics of surface ruptures associated with the Chi-Chi earthquake of September 21, 1999	C.W. Lin;Y.L. Lee;M.L. Huang;W.C. Lai;B.D. Yuan;C.Y. Huang
南台科技大學	2004	Reduction of dark current in AlGaN/GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature-grown GaN cap layer	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; Y. K. Su; S. J. Chang; W. C. Lai; G. C. Chi
南台科技大學	2004	Effect of GaN cap layer grown at a low temperature on electrical characteristics of Al0.25Ga0.75N/GaN heterojunction field-effect transistors	李明倫; C. J. Kao; J. K. Sheu; W. C. Lai; M. L. Lee; M. C. Chen; G. C. Chi
南台科技大學	2004	Effect of low-temperature-grown GaN cap layer on reduced leakage current of GaN Schottky diodes	李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; W. C. Lai
南台科技大學	2004	Low-dark current, high-sensitivity metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors based on GaN with low-temperature GaN intermediate layer	李明倫; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. L. Lee; W. C. Lai; L. S. Yeh; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; J. M. Tsai
南台科技大學	2004	Characterization of GaN Schottky barrier photodiodes with a low-temperature growth GaN cap layer	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; Y. K. Su; S. J. Chang; W. C. Lai; G. C. Chi

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