臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
國立臺灣海洋大學	2007	Performance of Al0.24Ga0.76As/In0.22Ga0.78As double-heterojunction HEMTs with an as deposited and a buried gate	H. R. Chen;M. K. Hsu;S. Y. Chiu;W. T. Chen;G. H. Chen;Y. C. Chang;C. C. Su;W. S. Lour
國立臺灣海洋大學	2006-12	InGaP/InGaAs Pseudomorphic Heterodoped-Channel FETs With a Field Plate and a Reduced Gate Length by Splitting Gate Metal	H. R. Chen;M. K. Hsu;S. Y. Chiu;W. T. Chen;G. H. Chen;Y. C. Chang;W. S. Lour
國立臺灣海洋大學	2006-07	Low optical power characterization of a base current-biased four-terminal dual-emitter heterojunction phototransistor	W.T. Chen;H.R. Chen;M.K. Hsu;S.Y. Chiu;G.H. Chen;Y.C. Chang;W.S. Lour
國立高雄師範大學	2006	Temperature-dependent characteristics of an emitter-ledge passivated InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor	Jung-Hui Tsai;T. P. Chen;S. I. Fu;W. S. Lour;. F. Guo; S. Y. Cheng;W. C. Liu; 蔡榮輝
國立臺灣海洋大學	2006	Gate-metal formation-related kink effect and gate current on In0.5Al0.5As/In0.5Ga0.5As metamorphic high electron mobility transistor performance	M. K. Hsu;H. R. Chen;S. Y. Chiou;W. T. Chen;G. H. Chen;Y. C. Chang;W. S. Lour
國立臺灣海洋大學	2005	Comprehension and modelling of heterojunction phototransistors operated in the Gummel-plot and common-emitter modes	H R Chen;W T Chen;M K Hsu;S W Tan;W S Lour
國立臺灣海洋大學	2005	Fringing effects of V-shape gate metal on GaAs/InGa/PInGaAs doped-channel field-effect transistors	H R Chen;W T Chen;M K Hsu;S W Tan;W S Lour
國立臺灣海洋大學	2005	The influence of base bias on the collector photocurrent for InGaP/GaAs heterojunction phototransistors	S. W. Tan;H. R. Chen;W. T. Chen;M. K. Hsu;A. H. Lin;W. S. Lour
國立臺灣海洋大學	2004	Performance enhancement of double-emitter HPTs with different emitter-area ratios	S.W. Tan; H.R. Chen; A.H. Lin; W.T. Chen; W.S. Lour
國立臺灣海洋大學	2004	Sub-0.25 micron gate like heterojunction doped-channel FETs with a controllable notch-angle V-gate	S W Tan; M K Hsu; A H Lin; M Y Chu; W T Chen; W S Lour

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