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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:44:11Z Diode-end-pumped passively mode-locked high-power Nd : YVO4 laser with a relaxed saturable Bragg reflector Chen, YF; Tsai, SW; Lan, YP; Wang, SC; Huang, KF
國立交通大學 2014-12-08T15:44:06Z High-power diode-pumped nonlinear mirror mode-locked Nd : YVO4 laser with periodically-poled KTP Chen, YF; Tsai, SW; Wang, SC
國立交通大學 2014-12-08T15:43:53Z Beryllium-implanted P-type GaN with high carrier concentration Yu, CC; Chu, CF; Tsai, JY; Lin, CF; Lan, WH; Chiang, CI; Wang, SC
國立交通大學 2014-12-08T15:43:50Z High etching rate of GaN films by KrF excimer laser Chu, CF; Lee, CK; Yu, CC; Wang, YK; Tasi, JY; Yang, CR; Wang, SC
國立交通大學 2014-12-08T15:43:50Z Investigation of beryllium implanted P-type GaN Yu, CC; Chu, CF; Tsai, JY; Wang, SC
國立交通大學 2014-12-08T15:43:34Z A diode-pumped high power Q-switched and self-mode-locked Nd : YVO4 laser with a LiF : F-2(-) saturable absorber Chen, YF; Tsai, SW; Wang, SC; Chen, J
國立交通大學 2014-12-08T15:43:12Z Simultaneous mode locking in a diode-pumped passively Q-switched Nd : YVO4 laser with a GaAs saturable absorber Chen, YF; Huang, KF; Tsai, SW; Lan, YP; Wang, SC; Chen, J
國立交通大學 2014-12-08T15:43:11Z Simultaneous observation of second-harmonic emission and three-photon excited photoluminescence from hybrid vapor phase epitaxy-grown GaN film Lee, CK; Kao, FJ; Wang, SC; Pan, CL
國立交通大學 2014-12-08T15:42:38Z Real index-guided InGaAlP red lasers with buried tunnel junctions Lu, TC; Shieh, HM; Wang, SC
國立交通大學 2014-12-08T15:42:37Z Comparison of high-resistivity ZnO films sputtered on different substrates Lin, GR; Wang, SC

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