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國立成功大學 2003-03 Temperature-dependent characteristics of an Al0.2Ga0.8As/ln(0.22)Ga(0.78)As pseudomorphic double heterojunction modulation doped field-effect transistor with a GaAs/AlGaAs superlattice buffer layer Li, Yih-Juan; Hsu, Wei-Chou; Wang, Sheng-Yung

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