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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:37:17Z Valence-band tunneling induced low frequency noise in ultrathin oxide (15 angstrom) n-type metal-oxide-semiconductor field effect transistors Wu, JW; You, JW; Ma, HC; Cheng, CC; Chang, CS; Huang, GW; Wang, T
國立交通大學 2014-12-08T15:27:03Z Auger recombination enhanced hot carrier degradation in nMOSFETs with positive substrate bias Chiang, LP; Tsai, CW; Wang, T; Liu, UC; Wang, MC; Hsia, LC
國立交通大學 2014-12-08T15:26:36Z Process and doping species dependence of negative-bias-temperature instability for p-channel MOSFETs Lee, DY; Lin, HC; Chiang, WJ; Lu, WT; Huang, GW; Huang, TY; Wang, T
國立交通大學 2014-12-08T15:25:51Z Hot carrier degradation in LDMOS power transistors Cheng, CC; Wu, JW; Lee, CC; Shao, JH; Wang, T
國立交通大學 2014-12-08T15:25:22Z Single-electron emission of traps in HfSiON as high-k gate dielectric for MOSFETs Chan, CT; Tang, CJ; Kuo, CH; Ma, HC; Tsai, CW; Wang, HCH; Chi, MH; Wang, T
國立交通大學 2014-12-08T15:25:22Z Low frequency noise degradation in ultra-thin oxide (I5A) analog n-MOSFETs resulting from valence-band tunneling Wu, JW; You, JW; Ma, HC; Cheng, CC; Hsu, C; Huang, GW; Chang, CS; Wang, T
國立交通大學 2014-12-08T15:25:11Z Low voltage high speed SiO(2)/AlGaN/AlLaO(3)/TaN memory with good retention Chin, A; Laio, CC; Chen, C; Chiang, KC; Yu, DS; Yoo, WJ; Samudra, GS; Wang, T; Hsieh, IJ; McAlister, SP; Chi, CC
國立交通大學 2014-12-08T15:25:11Z Positive bias and temperature stress induced two-stage drain current degradation in HfSiON nMOSFET's Chan, CT; Tang, CJ; Wang, T; Wang, HCH; Tang, DD
國立交通大學 2014-12-08T15:14:59Z Performance enhancement of the nMOSFET low-noise amplifier by package strain Hua, W. -C.; Chang, H. -L.; Wang, T.; Lin, C. -Y; Lin, C. -P.; Lu, S. S.; Meng, C. C.; Liu, C. W.
國立交通大學 2014-12-08T15:10:21Z High Efficiency Silicon Solar Cells with Bilayer Passivation Structure Sun, W. C.; Chang, W. L.; Chen, C. H.; Du, C. H.; Wang, T. Y.; Wang, T.; Lan, C. W.

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