| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:27Z |
高介電層金屬閘極CMOS電晶體功函數與臨界電壓變異之關聯性探討
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王元鼎; Wang, Yuan-Ding; 莊紹勳; 汪大暉; Chung, Shao-Shiun; Wang, Ta-Hui |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:22Z |
零時和時間依賴引致臨界電壓改變量分布在奈米線結構無接面電晶體
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郭晉榕; Kuo, Chin-Jung; 汪大暉; Wang, Ta-hui |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:16:14Z |
Method of combining multilevel memory cells for an error correction scheme
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Wu, Jieh-Tsorng; Wang, Ta-Hui; Chang, Hsie-Chia |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:21Z |
氮化矽快閃記憶體的電荷傳輸模擬及其對抹除操作下之暫態行為的影響
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何思嫻; He, Si-Xian; 汪大暉; Wang, Ta-Hui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:43:48Z |
電阻式記憶體中寫入/讀取造成阻態改變錯誤之新機制
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鄭宇軒; Cheng, Yu-Hsuan; 汪大暉; 鄭旻政; Wang, Ta-Hui; Chen, Min-Cheng |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:05Z |
在負偏壓溫度不穩定回復時臨界電壓改變量分佈之統計特性和模式及其時間演繹
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謝泓達; Hsieh, Hong-Da; 汪大暉; Wang, Ta-Hui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:46:22Z |
22奈米高介電係數金屬閘極電晶體之正向偏壓溫度不穩定性分析及模擬
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王志宇; Wang, Chih-Yu; 汪大暉; Wang, Ta-Hui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:46:12Z |
單一電子在超大型積體電路元件中所造成臨界電壓擾動之三維原子量級模擬
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王明瑋; Wang, Ming-Wei; 汪大暉; Wang, Ta-hui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:46:10Z |
單一電子在SONOS快閃式記憶體中的現象，物理以及特性研究
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鍾岳庭; Chung, Yueh-Ting; 汪大暉; Wang, Ta-Hui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:24Z |
多層堆疊氧化鉿/氧化鋁電阻轉態層之透明電阻式記憶體特性研究
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溫岳嘉; Wun, Yue- Jia; 張國明; 汪大暉; Chang, Kow-Ming; Wang, Ta-Hui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:15Z |
雙重電漿處理下二氧化鉿金屬-絕緣層-半導體電容器的電流傳導機制以及可靠度之研究
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陳壽賢; Chen, Shou-Hsien; 張國明; 汪大暉; Chang, Kow-Ming; Wang, Ta-Hui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:36:58Z |
高靈敏度與非均質矽鍺奈米線於混和氮氧氣體下之氧化特性研究
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王育彬; Wang, Yu-Bin; 汪大暉; Wang, Ta-Hui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:36:57Z |
藉由大氣電漿在不同前驅物下沉積二氧化矽薄膜其電性與表面型態之研究
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廖彥凱; Liao, Yen-Kai; 汪大暉; Wang, Ta-Hui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:36:57Z |
氮氣和熱處理對氧化鉿薄膜的電阻式記憶體電性之效應
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吳天佑; Wu, Tien-Yu; 汪大暉; Wang, Ta-Hui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:30Z |
先進互補式金氧半電晶體及快閃式記憶元件中單一電荷效應之統計性研究
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邱榮標; Chiu, Jung-Piao; 汪大暉; Wang, Ta-Hui |
