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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2014-12-13T10:46:03Z	電阻式記憶元件操作特性與可靠性之統計測量及三度空間原子與電荷傳輸模擬	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:45:53Z	奈米SONOS元件內單電子效應、可靠性物理及創新研究	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:44:07Z	量子線矽、鍺、砷化鎵奈米CMOS元件內電荷傳輸模擬與可靠性	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:42:19Z	奈米SONOS元件內單電子效應，可靠性物理及創新研究	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:42:17Z	量子線矽、鍺、砷化鎵奈米CMOS元件內電荷傳輸模擬與可靠性	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:41:37Z	CMOS發光顯像技術與閘極介電層材料研究---中加合作案(I)	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:41:11Z	量子線矽、鍺、砷化鎵奈米CMOS元件內電荷傳輸模擬與可靠性	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:41:10Z	奈米SONOS元件內單電子效應，可靠性物理及創新研究	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:40:16Z	三維微電子真空元件模擬器	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:39:50Z	次微米元件內熱載子所產生界面缺陷對元件特性的影響	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:39:41Z	超薄閘極氧化層元件可靠性研究	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:39:39Z	量子井元件內量子侷限效應對於光電特性影響之研究	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:38:52Z	950至2050MHz砷化鎵單晶微波積體電路降頻器之設計、模擬與量測	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:38:51Z	金氧半電晶體內界面缺陷所產生汲極漏電流的物理機制與實驗量測	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:38:07Z	深次微米MOSFET元件可靠性研究---子計畫二：利用改良式浮動閘極法測量氧化層內缺陷所造成之漏電流與理論分析(II)	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:38:07Z	次微米元件內氧化層缺陷暫態特性量測技術	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:38:06Z	單電荷與輻射效應在先進CMOS 和SONOS 元件可靠性之統計量測與模式	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:37:11Z	穿隧氧化層內漏電流之暫態特性與物理機制	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:36:59Z	深次微米元件內熱載子效應所造成汲極漏電流特性退化之研究	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:36:19Z	RF CMOS 雜訊分析與可靠性研究	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:36:03Z	CMOS發光顯像技術與閘極介電層材料研究---中加合作案(II)	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:35:26Z	一種新式氮化矽快閃式記憶元件研究(I)	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:35:03Z	一種新式氮化矽快閃式記憶元件研究(II)	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:34:14Z	超薄閘極氧化層CMOS元件軟崩潰效應研究(I)	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:33:38Z	超薄閘極氧化層CMOS元件軟崩潰效應研究(II)	汪大暉; WANG TAHUI

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