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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-13T10:41:37Z CMOS發光顯像技術與閘極介電層材料研究---中加合作案(I) 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:41:11Z 量子線矽、鍺、砷化鎵奈米CMOS元件內電荷傳輸模擬與可靠性 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:41:10Z 奈米SONOS元件內單電子效應,可靠性物理及創新研究 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:40:16Z 三維微電子真空元件模擬器 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:39:50Z 次微米元件內熱載子所產生界面缺陷對元件特性的影響 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:39:41Z 超薄閘極氧化層元件可靠性研究 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:39:39Z 量子井元件內量子侷限效應對於光電特性影響之研究 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:38:52Z 950至2050MHz砷化鎵單晶微波積體電路降頻器之設計、模擬與量測 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:38:51Z 金氧半電晶體內界面缺陷所產生汲極漏電流的物理機制與實驗量測 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:38:07Z 深次微米MOSFET元件可靠性研究---子計畫二:利用改良式浮動閘極法測量氧化層內缺陷所造成之漏電流與理論分析(II) 汪大暉; WANG TAHUI

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