|
English
|
正體中文
|
简体中文
|
總筆數 :0
|
|
造訪人次 :
52582509
線上人數 :
734
教育部委託研究計畫 計畫執行:國立臺灣大學圖書館
|
|
|
"wang tahui"的相關文件
顯示項目 86-95 / 122 (共13頁)
<< < 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:28:34Z |
單電荷與輻射效應在先進CMOS 和SONOS 元件可靠性之統計量測與模式
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:28:33Z |
次32奈米CMOS元件可靠性分析、量子結構效應、與蒙地卡羅電荷傳輸模擬
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:51:24Z |
先進互補式金氧半電晶體及氮化矽快閃式記憶元件之可靠度分析和蒙地卡羅模擬
|
唐俊榮; Tang, Chun-Jung; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:47:19Z |
超薄氧化層絕緣層上覆矽元件中軟式崩潰所引發之可靠性議題的探討
|
陳旻政; Chen, Min-Cheng; 汪大暉; Wang Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:33:39Z |
高介電係數閘極電晶體之負偏壓溫度不穩定性引致臨界電壓改變量分佈之統計特性和模式
|
李啟偉; Li, Chi-Wei; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:33:38Z |
氧化鉿電阻式記憶體之隨機電報雜訊分析與蒙地卡羅模擬
|
黃子譯; Huang,Tzu-I; 汪大暉; Wang,Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:24:10Z |
Characterization and SPICE Modeling of High Voltage LDMOS
|
邵晉輝; Shao, Jin-huei; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:45Z |
穿遂氧化層漏電流之特性與模擬
|
葉致鍇; Yeh, Chih-Chieh; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:23Z |
金氧半電晶體內界面缺陷所產生汲極漏電流的溫度效應
|
劉家瑋; Liu, Chia-Wei; 汪大暉; Wang Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:07Z |
高介電係數金屬閘極平面式浮置閘極快閃記憶體特性及其微縮模擬
|
房定樺; Fang, Ding-Hua; 汪大暉; Wang, Tahui |
顯示項目 86-95 / 122 (共13頁)
<< < 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目
|
