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教育部委託研究計畫 計畫執行:國立臺灣大學圖書館
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| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:33:38Z |
氧化鉿電阻式記憶體之隨機電報雜訊分析與蒙地卡羅模擬
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黃子譯; Huang,Tzu-I; 汪大暉; Wang,Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:24:10Z |
Characterization and SPICE Modeling of High Voltage LDMOS
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邵晉輝; Shao, Jin-huei; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:45Z |
穿遂氧化層漏電流之特性與模擬
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葉致鍇; Yeh, Chih-Chieh; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:23Z |
金氧半電晶體內界面缺陷所產生汲極漏電流的溫度效應
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劉家瑋; Liu, Chia-Wei; 汪大暉; Wang Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:07Z |
高介電係數金屬閘極平面式浮置閘極快閃記憶體特性及其微縮模擬
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房定樺; Fang, Ding-Hua; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:16Z |
SONOS快閃記憶體中寫入電荷和元件結構對於隨機電報雜訊的影響
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林東陽; Lin, Steven; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:32:36Z |
高電壓橫向擴散金氧半電晶體中暫態熱載子效應與元件模型之探討
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鄭志昌; Cheng, Chih-Chang; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:26:58Z |
氮化矽快閃記憶體的暫態行為及其應用
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杜文仙; Tu, Wen-Hsien; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:25:20Z |
對於利用氮化矽局部電荷儲存之快閃記憶元件可靠度問題的探討
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蔡文哲; Tsai, Wen-Jer; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:23:20Z |
快閃式記憶體和金氧半電晶體元件中單一電荷所導致的可靠性議題研究
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馬煥淇; Ma, Huan-Chi; 汪大暉; Wang, Tahui |
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