| 國立交通大學 |
2017-04-21T06:49:14Z |
Hybrid Si/TMD 2D Electronic Double Channels Fabricated Using Solid CVD Few-Layer-MoS2 Stacking for V-th Matching and CMOS-Compatible 3DFETs
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Chen, Min-Cheng; Lin, Chia-Yi; Li, Kai-Hsin; Li, Lain-Jong; Chen, Chang-Hsiao; Chuang, Cheng-Hao; Lee, Ming-Dao; Chen, Yi-Ju; Hou, Yun-Fang; Lin, Chang-Hsien; Chen, Chun-Chi; Wu, Bo-Wei; Wu, Cheng-San; Yang, Ivy; Lee, Yao-Jen; Yeh, Wen-Kuan; Wang, Tahui; Yang, Fu-Liang; Hu, Chenming |
| 國立交通大學 |
2017-04-21T06:49:10Z |
Characterization and Monte Carlo analysis of secondary electrons induced program disturb in a buried diffusion bit-line SONOS flash memory
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Tang, Chun-Jung; Li, C. W.; Wang, Tahui; Gu, S. H.; Chen, P. C.; Chang, Y. W.; Lu, T. C.; Lu, W. P.; Chen, K. C.; Lu, Chih-Yuan |
| 國立交通大學 |
2017-04-21T06:48:58Z |
Investigation of Factors Affecting SET-Disturb Failure Time in a Resistive Switching Memory
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Su, P. C.; Chung, Y. T.; Chen, M. C.; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2017-04-21T06:48:24Z |
Read Current Instability Arising from Random Telegraph Noise in Localized Storage, Multi-Level SONOS Flash Memory
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Gu, S. H.; Li, C. W.; Wang, Tahui; Lu, W. P.; Chen, K. C.; Ku, Joseph; Lu, Chih-Yuan |
| 國立交通大學 |
2017-04-21T06:48:18Z |
TMD FinFET with 4 nm Thin Body and Back Gate Control for Future Low Power Technology
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Chen, Min-Cheng; Li, Kai-Shin; Li, Lain-Jong; Lu, Ang-Yu; Li, Ming-Yang; Chang, Yung-Huang; Lin, Chang-Hsien; Chen, Yi-Ju; Hou, Yun-Fang; Chen, Chun-Chi; Wu, Bo-Wei; Wu, Cheng-San; Yang, Ivy; Lee, Yao-Jen; Shieh, Jia-Min; Yeh, Wen-Kuan; Shih, Jyun-Hong; Su, Po-Cheng; Sachid, Angada B.; Wang, Tahui; Yang, Fu-Liang; Hu, Chenming |
| 國立交通大學 |
2017-04-21T06:48:16Z |
Investigation of charge loss in cycled NBit cells via field and temperature accelerations
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Tsai, W. J.; Zous, N. K.; Chen, H. Y.; Liu, Lenvis; Yeh, C. C.; Chen, Sam; Lu, W. P.; Wang, Tahui; Ku, Joseph; Lu, Chih-Yuan |
| 國立交通大學 |
2017-04-21T06:48:16Z |
Effects of width scaling, length scaling, and layout variation on electromigrationin in dual damascene copper interconnects
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Lin, M. H.; Chang, K. P.; Su, K. C.; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2017-04-21T06:48:15Z |
Insight of stress effect on the ONO stack layer in a SONOS-type flash memory cell
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Yeh, C. C.; Liao, Y. Y.; Wang, Tahui; Tsai, W. J.; Lu, T. C.; Kao, H. L.; Ou, T. F.; Chen, M. S.; Chen, Y. K.; Lai, E. K.; Shih, Y. H.; Ting, WenChi; Ku, Y. H. Joseph; Lit, Chih-Yuan |
| 國立交通大學 |
2016-03-29T00:01:16Z |
電阻式記憶體陣列內新式可靠性效應與物理機制、統計分析量測及三度空間可靠性模擬
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2016-03-28T08:17:26Z |
單電荷與輻射效應在先進CMOS 和SONOS 元件可靠性之統計量測與模式
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2016-03-28T08:17:17Z |
電阻式記憶體陣列內新式可靠性效應與物理機制、統計分析量測及三度空間可靠性模擬
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:06:49Z |
氧化鉿電阻式記憶體之操作方法與隨機電報雜訊研究
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王柏偉; Wang, Bo-Wei; 汪大暉; 陳旻政; Wang, Tahui; Chen, Min-Cheng |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:27Z |
雙介電層低功耗電阻式記憶體之設計與最佳化
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楊勝博; Yang, Shang-Po; 莊紹勳; 汪大暉; Chung, Shao-Shiun; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:22Z |
電阻式記憶體操作後導致缺陷產生與寫入干擾錯誤時間劣化之研究
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林汶潔; Lin, Wen-Chieh; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:22Z |
不同介電質的平面式及閘極環繞式氮化矽快閃記憶體之寫入/抹除/保存模擬
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蔡德宏; Tsai, Te-Hung; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2015-07-21T08:28:33Z |
Cycling-Induced SET-Disturb Failure Time Degradation in a Resistive Switching Memory
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Chung, Yueh-Ting; Su, Po-Cheng; Cheng, Yu-Hsuan; Wang, Tahui; Chen, Min-Cheng; Lu, Chih-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:51:20Z |
次32奈米CMOS元件可靠性分析、量子結構效應、與蒙地卡羅電荷傳輸模擬
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:50:25Z |
次50奈米二位元儲存氮化矽快閃式記憶體元件之結構、電荷傳輸與可靠性研究
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:47:45Z |
薄氧化層中漏電流與Soft Breakdown特性與機制研究
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:46:43Z |
次32奈米CMOS元件可靠性分析、量子結構效應、與蒙地卡羅電荷傳輸模擬
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:46:03Z |
電阻式記憶元件操作特性與可靠性之統計測量及三度空間原子與電荷傳輸模擬
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:45:53Z |
奈米SONOS元件內單電子效應、可靠性物理及創新研究
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:44:07Z |
量子線矽、鍺、砷化鎵奈米CMOS元件內電荷傳輸模擬與可靠性
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:42:19Z |
奈米SONOS元件內單電子效應，可靠性物理及創新研究
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:42:17Z |
量子線矽、鍺、砷化鎵奈米CMOS元件內電荷傳輸模擬與可靠性
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:37Z |
CMOS發光顯像技術與閘極介電層材料研究---中加合作案(I)
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:11Z |
量子線矽、鍺、砷化鎵奈米CMOS元件內電荷傳輸模擬與可靠性
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:10Z |
奈米SONOS元件內單電子效應，可靠性物理及創新研究
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:40:16Z |
三維微電子真空元件模擬器
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:50Z |
次微米元件內熱載子所產生界面缺陷對元件特性的影響
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:41Z |
超薄閘極氧化層元件可靠性研究
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:39Z |
量子井元件內量子侷限效應對於光電特性影響之研究
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:38:52Z |
950至2050MHz砷化鎵單晶微波積體電路降頻器之設計、模擬與量測
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:38:51Z |
金氧半電晶體內界面缺陷所產生汲極漏電流的物理機制與實驗量測
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:38:07Z |
深次微米MOSFET元件可靠性研究---子計畫二：利用改良式浮動閘極法測量氧化層內缺陷所造成之漏電流與理論分析(II)
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:38:07Z |
次微米元件內氧化層缺陷暫態特性量測技術
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:38:06Z |
單電荷與輻射效應在先進CMOS 和SONOS 元件可靠性之統計量測與模式
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:37:11Z |
穿隧氧化層內漏電流之暫態特性與物理機制
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:36:59Z |
深次微米元件內熱載子效應所造成汲極漏電流特性退化之研究
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:36:19Z |
RF CMOS 雜訊分析與可靠性研究
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:36:03Z |
CMOS發光顯像技術與閘極介電層材料研究---中加合作案(II)
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:35:26Z |
一種新式氮化矽快閃式記憶元件研究(I)
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:35:03Z |
一種新式氮化矽快閃式記憶元件研究(II)
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:34:14Z |
超薄閘極氧化層CMOS元件軟崩潰效應研究(I)
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:33:38Z |
超薄閘極氧化層CMOS元件軟崩潰效應研究(II)
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:33:04Z |
雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(I)
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:32:13Z |
奈米CMOS元件量子效應與電荷傳輸模擬及電性與可靠性分析(I)
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:32:05Z |
雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(II)
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:01Z |
雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(III)
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:30:53Z |
電阻式記憶元件操作特性與可靠性之統計測量及三度空間原子與電荷傳輸模擬
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汪大暉; WANG TAHUI |
