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國立交通大學 2014-12-13T10:39:41Z 超薄閘極氧化層元件可靠性研究 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:39:39Z 量子井元件內量子侷限效應對於光電特性影響之研究 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:38:52Z 950至2050MHz砷化鎵單晶微波積體電路降頻器之設計、模擬與量測 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:38:51Z 金氧半電晶體內界面缺陷所產生汲極漏電流的物理機制與實驗量測 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:38:07Z 深次微米MOSFET元件可靠性研究---子計畫二:利用改良式浮動閘極法測量氧化層內缺陷所造成之漏電流與理論分析(II) 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:38:07Z 次微米元件內氧化層缺陷暫態特性量測技術 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:38:06Z 單電荷與輻射效應在先進CMOS 和SONOS 元件可靠性之統計量測與模式 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:37:11Z 穿隧氧化層內漏電流之暫態特性與物理機制 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:36:59Z 深次微米元件內熱載子效應所造成汲極漏電流特性退化之研究 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:36:19Z RF CMOS 雜訊分析與可靠性研究 汪大暉; WANG TAHUI

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