| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:38:07Z |
次微米元件內氧化層缺陷暫態特性量測技術
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:38:06Z |
單電荷與輻射效應在先進CMOS 和SONOS 元件可靠性之統計量測與模式
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:37:11Z |
穿隧氧化層內漏電流之暫態特性與物理機制
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:36:59Z |
深次微米元件內熱載子效應所造成汲極漏電流特性退化之研究
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:36:19Z |
RF CMOS 雜訊分析與可靠性研究
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:36:03Z |
CMOS發光顯像技術與閘極介電層材料研究---中加合作案(II)
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:35:26Z |
一種新式氮化矽快閃式記憶元件研究(I)
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:35:03Z |
一種新式氮化矽快閃式記憶元件研究(II)
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:34:14Z |
超薄閘極氧化層CMOS元件軟崩潰效應研究(I)
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:33:38Z |
超薄閘極氧化層CMOS元件軟崩潰效應研究(II)
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:33:04Z |
雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(I)
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:32:13Z |
奈米CMOS元件量子效應與電荷傳輸模擬及電性與可靠性分析(I)
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:32:05Z |
雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(II)
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:01Z |
雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(III)
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:30:53Z |
電阻式記憶元件操作特性與可靠性之統計測量及三度空間原子與電荷傳輸模擬
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:30:06Z |
奈米CMOS元件量子效應與電荷傳輸模擬及電性與可靠性分析(II)
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:52Z |
奈米CMOS元件量子效應與電荷傳輸模擬及電性與可靠性分析(III)
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:48Z |
次50奈米二位元儲存氮化矽快閃式記憶體元件之結構、電荷傳輸與可靠性研究
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:41Z |
RF CMOS之特性量測、模式建立與可靠性研究
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:28:37Z |
次50奈米二位元儲存氮化矽快閃式記憶體元件之結構、電荷傳輸與可靠性研究
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:28:34Z |
單電荷與輻射效應在先進CMOS 和SONOS 元件可靠性之統計量測與模式
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:28:33Z |
次32奈米CMOS元件可靠性分析、量子結構效應、與蒙地卡羅電荷傳輸模擬
|
汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:51:24Z |
先進互補式金氧半電晶體及氮化矽快閃式記憶元件之可靠度分析和蒙地卡羅模擬
|
唐俊榮; Tang, Chun-Jung; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:47:19Z |
超薄氧化層絕緣層上覆矽元件中軟式崩潰所引發之可靠性議題的探討
|
陳旻政; Chen, Min-Cheng; 汪大暉; Wang Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:33:39Z |
高介電係數閘極電晶體之負偏壓溫度不穩定性引致臨界電壓改變量分佈之統計特性和模式
|
李啟偉; Li, Chi-Wei; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:33:38Z |
氧化鉿電阻式記憶體之隨機電報雜訊分析與蒙地卡羅模擬
|
黃子譯; Huang,Tzu-I; 汪大暉; Wang,Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:24:10Z |
Characterization and SPICE Modeling of High Voltage LDMOS
|
邵晉輝; Shao, Jin-huei; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:45Z |
穿遂氧化層漏電流之特性與模擬
|
葉致鍇; Yeh, Chih-Chieh; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:23Z |
金氧半電晶體內界面缺陷所產生汲極漏電流的溫度效應
|
劉家瑋; Liu, Chia-Wei; 汪大暉; Wang Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:07Z |
高介電係數金屬閘極平面式浮置閘極快閃記憶體特性及其微縮模擬
|
房定樺; Fang, Ding-Hua; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:16Z |
SONOS快閃記憶體中寫入電荷和元件結構對於隨機電報雜訊的影響
|
林東陽; Lin, Steven; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:32:36Z |
高電壓橫向擴散金氧半電晶體中暫態熱載子效應與元件模型之探討
|
鄭志昌; Cheng, Chih-Chang; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:26:58Z |
氮化矽快閃記憶體的暫態行為及其應用
|
杜文仙; Tu, Wen-Hsien; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:25:20Z |
對於利用氮化矽局部電荷儲存之快閃記憶元件可靠度問題的探討
|
蔡文哲; Tsai, Wen-Jer; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:23:20Z |
快閃式記憶體和金氧半電晶體元件中單一電荷所導致的可靠性議題研究
|
馬煥淇; Ma, Huan-Chi; 汪大暉; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:39:27Z |
Use of Random Telegraph Signal as Internal Probe to Study Program/Erase Charge Lateral Spread in a SONOS Flash Memory
|
Chou, Y. L.; Chiu, J. P.; Ma, H. C.; Wang, Tahui; Chao, Y. P.; Chen, K. C.; Lu, Chih-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:36:52Z |
Investigation of Random Telegraph Noise Amplitudes in Hafnium Oxide Resistive Memory Devices
|
Chung, Y. T.; Liu, Y. H.; Su, P. C.; Cheng, Y. H.; Wang, Tahui; Chen, M. C. |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:30:24Z |
Statistical Characterization and Modeling of the Temporal Evolutions of Delta V-t Distribution in NBTI Recovery in Nanometer MOSFETs
|
Chiu, Jung-Piao; Liu, Yu-Heng; Hsieh, Hung-Da; Li, Chi-Wei; Chen, Min-Cheng; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:24:48Z |
Investigation of hot carrier degradation modes in LDMOS by using a novel three-region charge pumping technique
|
Cheng, C. C.; Tu, K. C.; Wang, Tahui; Hsieh, T. H.; Tzeng, J. T.; Jong, Y. C.; Liou, R. S.; Pan, Sam C.; Hsu, S. L. |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:24:18Z |
Characterization and modeling of trap number and creation time distributions under negative-bias-temperature stress
|
Chiu, Jung-Piao; Li, Chi-Wei; Wang, Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:22:46Z |
Random Telegraph Noise in 1X-nm CMOS Silicide Contacts and a Method to Extract Trap Density
|
Chen, Min-Cheng; Lin, Chia-Yi; Chen, Bo-Yuan; Lin, Chang-Hsien; Huang, Guo-Wei; Ho, Chia-Hua; Wang, Tahui; Hu, Chenming; Yang, Fu-Liang |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:22:37Z |
V-t Retention Distribution Tail in a Multitime-Program MLC SONOS Memory Due to a Random-Program-Charge-Induced Current-Path Percolation Effect
|
Chung, Yueh-Ting; Huang, Tzu-I; Li, Chi-Wei; Chou, You-Liang; Chiu, Jung-Piao; Wang, Tahui; Lee, M. Y.; Chen, Kuang-Chao; Lu, Chih-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:21:24Z |
A Comparative Study of NBTI and RTN Amplitude Distributions in High-kappa Gate Dielectric pMOSFETs
|
Chiu, J. P.; Chung, Y. T.; Wang, Tahui; Chen, Min-Cheng; Lu, C. Y.; Yu, K. F. |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:21:22Z |
Investigation of Post-NBT Stress Current Instability Modes in HfSiON Gate Dielectric pMOSFETs by Measurement of Individual Trapped Charge Emissions
|
Ma, H. C.; Chiu, J. P.; Tang, C. J.; Wang, Tahui; Chang, C. S. |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:21:21Z |
Program Charge Effect on Random Telegraph Noise Amplitude and Its Device Structural Dependence in SONOS Flash Memory
|
Chiu, J. P.; Chou, Y. L.; Ma, H. C.; Wang, Tahui; Ku, S. H.; Zou, N. K.; Chen, Vincent; Lu, W. P.; Chen, K. C.; Lu, Chih-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:16:28Z |
Characteristics and physical mechanisms of positive bias and temperature stress-induced drain current degradation in HfSiON nMOSFETs
|
Chan, Chien-Tai; Tang, Chun-Jung; Wang, Tahui; Wang, Howard C. -H.; Tang, Denny D. |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:15:50Z |
Physics and characterization of various hot-carrier degradation modes in LDMOS by using a three-region charge-pumping technique
|
Cheng, Chih-Chang; Lin, J. F.; Wang, Tahui; Hsieh, T. H.; Tzeng, J. T.; Jong, Y. C.; Liou, R. S.; Pan, Samuel C.; Hsu, S. L. |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:15:37Z |
Extraction of nitride trap density from stress induced leakage current in silicon-oxide-nitride-oxide-silicon flash memory
|
Gu, Shaw-Hung; Wang, Tahui; Lu, Wen-Pin; Ku, Yen-Hui Joseph; Lu, Chih-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:14:59Z |
Numerical simulation of bottom oxide thickness effect on charge retention in SONOS flash memory cells
|
Gu, Shaw-Hung; Hsu, Chih-Wei; Wang, Tahui; Lu, Wen-Pin; Ku, Yen-Hui Joseph; Lu, Chih-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:13:01Z |
Effects of width scaling and layout variation on dual damascene copper interconnect electromigration
|
Lin, M. H.; Chang, K. P.; Su, K. C.; Wang, Tahui |
