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机构 日期 题名 作者
國立成功大學 2011-05 Investigation of Hydrogen-Sensing Characteristics of a Pd/GaN Schottky Diode Huang, Jun-Rui; Hsu, Wei-Chou; Chen, Yeong-Jia; Wang, Tzong-Bin; Chen, Huey-Ing; Liu, Wen-Chau
國立成功大學 2007 Comparison of Al0.32Ga0.68N/GaN heterostructure field-effect transistors with different channel thicknesses Wang, Tzong-Bin; Hsu, Wei-Chou; Su, Jun-Long; Hsu, Rong-Tay; Wu, Yu-Huei; Lin, Yu-Shyan; Su, Ke-Hua
國立成功大學 2007 Single-mode InGaAs photonic crystal vertical-cavity surface-emitting lasers emitting at 1170 nm Wang, Tzong-Bin; Hsu, Wei-Chou; Chen, I. Liang; Lee, Tsin-Dong; Su, Ke-Hua; Yang, Hung-Pin D.; Chiou, Chih-Hung
國立成功大學 2006-09-12 Comparison of hydrogen sensing characteristics for Pd/GaN and Pd/A1(0.3)Ga(0.7)As Schottky diodes Huang, Jun-Rui; Hsu, Wei-Chou; Chen, Yeong-Jia; Wang, Tzong-Bin; Lin, Kun-Wei; Chen, Huey-Ing; Liu, Wen-Chau
國立成功大學 2006-09 Inductively coupled plasma mesa etched InGaN/GaN light emitting diodes using Cl-2/BCl3/Ar plasma Wang, Tzong-Bin; Hsu, Wei-Chou; Che, Yen-Wei; Chen, Yeong-Jia
國立成功大學 2006-07-11 三五族氮化物光電元件特性改善之研究 王宗斌; Wang, Tzong-Bin
國立成功大學 2006-07-11 三五族氮化物光電元件特性改善之研究 王宗斌; Wang, Tzong-Bin
國立成功大學 2006 n(+)-GaAs/p(+)-InAlGaP/n(+)-InAlGaP camel-gate high-electron mobility transistors Lin, Yu-Shyan; Huang, Dong-Hai; Hsu, Wei-Chou; Wang, Tzong-Bin; Hsu, Rong-Tay; Wu, Yu-Huei
國立成功大學 2005-08 Improved In0.45Al0.55As/In0.45Ga0.55As/In0.65Ga0.35As inverse composite channel metamorphic high electron mobility transistor Chen, Yeong-Jia; Lee, Ching-Sung; Wang, Tzong-Bin; Hsu, Wei-Chou; Chen, Yen-Wei; Su, Ke-Hua; Wu, Chang-Luen
國立成功大學 2005-02 High-temperature thermal stability performance in delta-doped In0.425Al0.575As-In0.65Ga0.35As metamorphic HEMT Hsu, Wei-Chou; Chen, Yeong-Jia; Lee, Ching-Sung; Wang, Tzong-Bin; Lin, Yu-Shyan; Wu, Chang-Luen

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