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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:05:33Z A NOVEL GAAS CURRENT-CONTROLLED BIPOLAR UNIPOLAR TRANSITION NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE TRANSISTOR PREPARED BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY YARN, KF; WANG, YH; CHANG, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:05:33Z ROOM-TEMPERATURE OPERATION OF A NOVEL NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE DEVICE PREPARED BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY YARN, KF; WANG, YH; CHANG, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:05:33Z VOLTAGE-CONTROLLED 3 TERMINAL GAAS NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE DEVICE USING N+-I-P+-I-N+ STRUCTURE YARN, KF; WANG, YH; CHANG, CY; CHANG, CS
國立交通大學 2014-12-08T15:05:31Z CHARACTERIZATION OF A GAAS CURRENT-CONTROLLED BIPOLAR-UNIPOLAR TRANSITION NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE TRANSISTOR YARN, KF; WANG, YH; CHANG, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:05:25Z MOLECULAR-BEAM EPITAXY GROWN GAAS BIPOLAR-UNIPOLAR TRANSITION NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE POWER TRANSISTOR YARN, KF; CHANG, CY; WANG, YH; WANG, RL
國立交通大學 2014-12-08T15:05:06Z ANALYSIS OF STATISTICAL VOICE PACKET MULTIPLEXER WITH DNA MODEL CHANG, CJ; WANG, YH
國立交通大學 2014-12-08T15:04:57Z EFFECTS OF SB4/GA RATIOS ON THE ELECTRICAL-PROPERTIES OF GASB SCHOTTKY DIODES WANG, YH; HOUNG, MP; SZE, PW; CHEN, JF; CHO, AY
國立交通大學 2014-12-08T15:04:05Z GAAS BIDIRECTIONAL BISTABILITY SWITCH USING DOUBLE TRIANGULAR BARRIER STRUCTURES YARN, KF; WANG, YH; CHANG, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:03:44Z INVESTIGATION OF NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE PHENOMENA IN GASB/ALSB/INAS/GASB/ALSB/INAS STRUCTURES WANG, YH; LIU, MH; HOUNG, MP; CHEN, JF; CHO, AY
國立交通大學 2014-12-08T15:03:43Z A NOVEL DIAC-LIKE SWITCH USING DOUBLE TRIANGULAR BARRIERS YARN, KF; WANG, YH; CHANG, CY

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