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"wen hsin chang wu s y"的相关文件
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| 臺大學術典藏 |
2019-12-27T07:49:25Z |
Self-aligned inversion-channel In0.53Ga0.47As Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with In-situ Deposited Al2O3/Y2O3 as gate dielectrics
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Chang, P.;Chiu, H.-C.;Lin, T.-D.;Huang, M.-L.;Wen-Hsin Chang;Wu, S.-Y.;Wu, K.-H.;Hong, M.;Kwo, J.; Chang, P.; Chiu, H.-C.; Lin, T.-D.; Huang, M.-L.; Wen-Hsin Chang, Wu, S.-Y.; Wu, K.-H.; Hong, M.; Kwo, J.; MINGHWEI HONG |
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