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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:26:42Z Single-crystal silicon nanostructure fabrication by scanning probe lithography and anisotropic wet etching Chang, KM; You, KS; Wu, CH; Sheu, JT
國立交通大學 2014-12-08T15:26:19Z A novel wafer reclaim method for silicon carbide film Tsui, BY; Fang, KL; Wu, CH; Li, YH
國立交通大學 2014-12-08T15:26:18Z Fully silicided NiSi and germanided NiGe dual gates on SiO2/Si and Al2O3/Ge-on-insulator MOSFETs Huang, CH; Yu, DS; Chin, A; Wu, CH; Chen, WJ; Zhu, CX; Li, MF; Cho, BJ; Kwong, DL
國立交通大學 2014-12-08T15:25:54Z Design of a concurrent dual-band receiver front-end in 0.18um CMOS for WLANs IEEE 802.11a/b/g applications Jou, CF; Cheng, KH; Lien, WC; Wu, CH; Yen, CH
國立交通大學 2014-12-08T15:25:52Z High hole mobility of Al2O3 mosfets on dislocation free Ge-on-insulator wafers Chin, A; Yu, DS; Wu, CH; Huang, CH; Chen, WJ
國立交通大學 2014-12-08T15:25:11Z Lanthanide and Ir-based dual metal-gate/HfAlON CMOS with large work-function difference Yu, DS; Chin, A; Wu, CH; Li, MF; Zhu, C; Wang, SJ; Yoo, WJ; Hung, BF; McAlister, SP
國立交通大學 2014-12-08T15:18:41Z An investigation of quantum states in ultra-small InAs/GaAs quantum dots by means of photoluminescence Wu, CH; Lin, YG; Tyan, SL; Lin, SD; Lee, CP
國立交通大學 2014-12-08T15:18:38Z Photoluminescence of ultra small InAs/GaAs quantum dots Lin, YG; Wu, CH; Tyan, SL; Lin, SD; Lee, CP
國立交通大學 2014-12-08T15:17:43Z A quantum trap MONOS memory device using AlN Lai, CH; Wu, CH; Chin, A; Wang, SJ; McAlister, SP
國立交通大學 2014-12-08T15:17:29Z High work function IrxSi gates on HfAlON p-MOSFETs Wu, CH; Yu, DS; Chin, A; Wang, SJ; Li, MF; Zhu, C; Hung, BE; McAlister, SP

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