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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:06:09Z CORRELATIONS BETWEEN CMOS LATCH-UP CHARACTERISTICS AND SUBSTRATE STRUCTURE PARAMETERS CHEN, MJ; WU, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:06:08Z A NEW OXIDATION-RESISTANT SELF-ALIGNED TISI2 PROCESS TSENG, HH; WU, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:06:07Z A CHARACTERIZATION MODEL FOR CONSTANT CURRENT STRESSED VOLTAGE-TIME CHARACTERISTICS OF THIN THERMAL OXIDES GROWN ON SILICON SUBSTRATE CHEN, CF; WU, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:06:06Z THE ANALYSIS AND DESIGN OF CMOS MULTIDRAIN LOGIC AND STACKED MULTIDRAIN LOGIC WU, CY; WANG, JS; TSAI, MK
國立交通大學 2014-12-08T15:06:06Z A SIMPLE TECHNIQUE FOR MEASURING THE INTERFACE-STATE DENSITY OF THE SCHOTTKY-BARRIER DIODES USING THE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS TSENG, HH; WU, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:06:05Z THE DISTORTION OF THE INTERFACE-STATE SPECTRUM DUE TO NONEQUILIBRIUM OCCUPANCY OF THE INTERFACE STATES AT THE METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACE TSENG, HH; WU, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:06:05Z THE EFFECTS OF THERMAL NITRIDATION CONDITIONS ON THE RELIABILITY OF THIN NITRIDED OXIDE-FILMS TSAI, HH; WU, LC; WU, CY; HU, CM
國立交通大學 2014-12-08T15:06:05Z A NEW STRUCTURE-ORIENTED MODEL FOR WELL RESISTANCE IN CMOS LATCHUP STRUCTURES CHEN, MJ; SZE, SC; CHEN, HH; WU, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:06:05Z A SIMPLE INTERFACIAL-LAYER MODEL FOR THE NONIDEAL IV AND C-V CHARACTERISTICS OF THE SCHOTTKY-BARRIER DIODE TSENG, HH; WU, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:06:04Z AN ANALYTIC IV MODEL FOR LIGHTLY DOPED DRAIN (LDD) MOSFET DEVICES HUANG, GS; WU, CY

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