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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2019-04-02T06:00:26Z Controllable oxygen vacancies to enhance resistive switching performance in a ZrO2-based RRAM with embedded Mo layer Wang, Sheng-Yu; Lee, Dai-Ying; Huang, Tai-Yuen; Wu, Jia-Woei; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2015-07-21T08:31:27Z Resistive Switching and Rectification Characteristics with CoO/ZrO2 Double Layers Tsai, Tsung-Ling; Wu, Jia-Woei; Tseng, Tseng-Yuen
國立交通大學 2014-12-12T01:46:21Z 以氧化鋯製備雙層結構電阻式記憶體於單極性電阻轉態特性之研究 吳家瑋; Wu, Jia-Woei; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2014-12-08T15:38:18Z Controllable oxygen vacancies to enhance resistive switching performance in a ZrO(2)-based RRAM with embedded Mo layer Wang, Sheng-Yu; Lee, Dai-Ying; Huang, Tai-Yuen; Wu, Jia-Woei; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2014-12-08T15:30:43Z Unipolar Resistive Switching in ZrO2 Thin Films Zhang, Guo-Yong; Lee, Dai-Ying; Yao, I-Chuan; Hung, Chung-Jung; Wang, Sheng-Yu; Huang, Tai-Yuen; Wu, Jia-Woei; Tseng, Tseung-Yuen

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