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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:27:49Z THE RELIABILITY OF MULTILEVEL METALLIZATION ON INGAAS/GAAS LAYERS CHANG, EY; CHEN, JS; WU, JW; LIN, KC
國立交通大學 2014-12-08T15:27:49Z THE SELECTIVITY OF REACTIVE ION ETCH OF GA0.51IN0.49P/GAAS WU, JW; CHAN, SH; LIN, KC; CHANG, CY; CHANG, EY
國立交通大學 2014-12-08T15:25:51Z Hot carrier degradation in LDMOS power transistors Cheng, CC; Wu, JW; Lee, CC; Shao, JH; Wang, T
國立交通大學 2014-12-08T15:25:22Z Low frequency noise degradation in ultra-thin oxide (I5A) analog n-MOSFETs resulting from valence-band tunneling Wu, JW; You, JW; Ma, HC; Cheng, CC; Hsu, C; Huang, GW; Chang, CS; Wang, T
國立交通大學 2014-12-08T15:18:29Z Excess low-frequency noise in ultrathin oxide n-MOSFETs arising from valence-band electron tunneling Wu, JW; You, JW; Ma, HC; Cheng, CC; Hsu, CF; Chang, CS; Huang, GW; Wang, TH
國立交通大學 2014-12-08T15:04:04Z PHOTOLUMINESCENCE OF HEAVILY P-TYPE-DOPED GAAS - TEMPERATURE AND CONCENTRATION DEPENDENCES CHEN, HD; FENG, MS; CHEN, PA; LIN, KC; WU, JW
國立交通大學 2014-12-08T15:03:58Z ANOMALOUS MOBILITY ENHANCEMENT IN HEAVILY CARBON-DOPED GAAS CHEN, HD; FENG, MS; LIN, KC; CHEN, PA; WU, CC; WU, JW
國立交通大學 2014-12-08T15:03:56Z CATION SOURCE DEPENDENCE OF GA0.5IN0.5P GROWTH-RATE BY LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION WU, JW; CHANG, CY; LIN, KC; CHAN, SH; CHEN, HD; CHEN, PA; CHANG, EY; KUO, MS
國立交通大學 2014-12-08T15:03:41Z PASSIVATION OF GAAS POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING ELECTRON-CYCLOTRON-RESONANCE CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION SILICON-NITRIDE TECHNIQUE CHANG, EY; LIN, KC; WU, JW; CHEN, TH; CHEN, JS; WANG, SP
國立交通大學 2014-12-08T15:03:32Z THE THERMAL-STABILITY OF OHMIC CONTACT TO N-TYPE INGAAS LAYER WU, JW; CHANG, CY; LIN, KC; CHANG, EY; CHEN, JS; LEE, CT

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