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國立臺灣科技大學 2012 Low-frequency noise characteristics of GaN Schottky barrier photodetectors prepared with nickel annealing Chen, T.-P.;Young, S.-J.;Chang, S.-J.;Huang, B.-R.;Wang, S.-M.;Hsiao, C.-H.;Wu, S.-L.;Yang, C.-B.
淡江大學 2011-12 Electronic structure, electron field emission and magnetic behaviors of carbon nanotube fabricated on La0.66Sr0.33MnO3 (LSMO) base layer Ray, S.C.; Wu, S.L.; Tsai, M.H.; Okpalugo, T.I.T.; Ling, D.C.;Pong, W.F.
國立成功大學 2011-11 GaN Schottky barrier photodetectors with a lattice matched Al0.82In0.18N intermediate layer Huang, Z.-D.;Weng, W.-Y.;Chang, S.-J.;Jung, S.-C.;Chiu, C.-J.;Hsueh, T.-J.;Lai, W.-C.;Wu, S.-L.
實踐大學 2011 GaN Schottky Barrier Photodetectors With a Lattice-Matched Al0.82In0.18N Intermediate Layer Huang, Z.D.;Weng, W.Y.;Chang, S.J.;Hung, S.C.;Chiu, C.J.;Hsueh, T.J.;Lai, W.C.;Wu, S.L.
實踐大學 2011 GaN Schottky barrier photodetectors with a lattice-matched Al 0.82In0.18 intermediate layer Huang, Z.D.;Weng, W.Y.;Chang, S.J.;Hung, S.C.;Chiu, C.J.;Hsueh, T.J.;Lai, W.C.;Wu, S.L.
國立臺灣科技大學 2011 Cross-layer and cognitive QoS management system for next-generation networking Chen, J.L.;Liu, S.W.;Wu, S.L.;Chen, M.C.
國立成功大學 2011 GaN MSM UV Photodetectors with an Al(0.82)In(0.18)N Intermediate Layer Huang, Z. D.; Weng, W. Y.; Chang, S. J.; Chiu, C. J.; Hsueh, T. J.; Lai, W. C.; Wu, S. L.
國立成功大學 2011 InGaN metal-semiconductor-metal photodetectors with triethylgallium precursor and unactivated Mg-doped GaN cap layers Lee, K.-H.;Chang, P.-C.;Chang, S.-J.;Wu, S.-L.
國立成功大學 2011 GaN MSM UV photodetectors with an Al0.82In0.18N intermediate layer Huang, Z.-D.;Weng, W.-Y.;Chang, S.-J.;Chiu, C.-J.;Hsueh, T.-J.;Lai, W.-C.;Wu, S. L.
淡江大學 2010-12 Anomalous Zn- and Ni-substitution effects on superconductivity in the superconducting weak ferromagnets RuSr2RCu2O8 (R = Gd, Eu) Ling, D.C.; Wu, S.L.; Lin, M.H.; Chien, F.Z.; Ling, D.-C.

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