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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:27:27Z 1 fF ESD protection device for gigahertz high-frequency output ESD protection Lee, J-H.; Huang, S-C.; Wu, Y. -H.; Chen, K. -H.
國立交通大學 2014-12-08T15:23:32Z Highly uniform low-power resistive memory using nitrogen-doped tantalum pentoxide Cheng, C. H.; Chen, P. C.; Wu, Y. H.; Wu, M. J.; Yeh, F. S.; Chin, Albert
國立交通大學 2014-12-08T15:21:34Z How do InAs quantum dots relax when the InAs growth thickness exceeds the dislocation-induced critical thickness? Chen, J. F.; Lin, Y. C.; Chiang, C. H.; Chen, Ross C. C.; Chen, Y. F.; Wu, Y. H.; Chang, L.
國立交通大學 2014-12-08T15:21:00Z Long-Endurance Nanocrystal TiO(2) Resistive Memory Using a TaON Buffer Layer Cheng, C. H.; Chen, P. C.; Wu, Y. H.; Yeh, F. S.; Chin, Albert
國立交通大學 2014-12-08T15:16:25Z Strain relaxation and induced defects in InAsSb self-assembled quantum dots Chen, J. F.; Hsiao, R. S.; Huang, W. D.; Wu, Y. H.; Chang, L.; Wang, J. S.; Chi, J. Y.
國立交通大學 2014-12-08T15:14:48Z Effect of gate sinking on the device performance, of the InGaP/AlGaAs/InGaAs enhancement-mode PHEMT Chu, L. H.; Chang, E. Y.; Chang, L.; Wu, Y. H.; Chen, S. H.; Hsu, H. T.; Lee, T. L.; Lien, Y. C.; Chang, C. Y.
國立交通大學 2014-12-08T15:13:22Z Relaxation-induced lattice misfits and their effects on the emission properties of InAs quantum dots Chen, J. F.; Wang, Y. Z.; Chiang, C. H.; Hsiao, R. S.; Wu, Y. H.; Chang, L.; Wang, J. S.; Chi, T. W.; Chi, J. Y.
國立交通大學 2014-12-08T15:12:34Z Interfacial reactions of Pt-based Schottky contacts on nGaP Chu, L. H.; Chang, E. Y.; Wu, Y. H.; Huang, J. C.; Chen, Q. Y.; Chu, W. K.; Seo, H. W.; Lee, C. T.
國立交通大學 2014-12-08T15:11:11Z Effect of antimony incorporation on the density, shape, and luminescence of InAs quantum dots Chen, J. F.; Chiang, C. H.; Wu, Y. H.; Chang, L.; Chi, J. Y.
國立交通大學 2014-12-08T15:10:47Z Geometrical correlations of quantum dots in InAs/GaAs superlattice structure from electron tomography Wu, Y. H.; Chang, L.; Chen, L. C.; Chen, H. S.; Chen, F. R.

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