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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-12T02:00:51Z 線狀型二氧化矽汙染物在大氣壓化學氣相沉積機台下的形成機制與改善 林樹宏; Lin, shu-hong; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:57:08Z 藉著電漿處理濕式蝕刻圖案化藍寶石基板提升氮化鎵發光二極體之效能 牛振儀; Niu, Chen-Yi; 吳耀銓; 92; Wu, Yew-Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:54:08Z 高壓元件閘極氧化層膜厚均勻度之改善 陳慧燕; Chen,Hui-Yen; 吳耀銓; Wu,Yew-Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:48:46Z 週期性線狀圖案a-plane藍寶石基板成長半極性氮化鎵薄膜之研究 鄭文豪; Cheng, Wen-Hao; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:45:22Z 鎳誘發側向結晶複晶矽薄膜電晶體-垂直通道結構應用於低溫複晶矽薄膜電晶體 童騰賦; Tung, Teng-Fu; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:45:20Z 高效能雙通道鎳金屬誘發低溫複晶矽薄膜電晶體之製備方式及特性分析 吳鴻佑; Wu, Hung-Yu; 吳耀銓; Wu, Yew-chung
國立交通大學 2014-12-12T01:45:19Z 以Drive-in 製程的修正來改善 0.4μm P型金屬/氧化層/半導體(PMOS)臨界電壓電性的異常 林國芳; Lin, Kuo-Fang; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:45:19Z 半導體淺溝槽內之矽筍狀缺陷去除 田育應; Tien, Yu-Ying; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:36:13Z 氫含量在奈米金屬點非揮發性記憶體之影響 詹家瑋; Chan, Chia-Wei; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:36:05Z 探討碳離子佈植與退火溫度對源汲極接面深度之影響 黃明哲; Huang, Ming-Zhe; 吳耀銓; Wu, Yew Chung

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