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機構	日期	題名	作者
國立交通大學	2019-11-01	Effect of thermal annealing for W/beta-Ga2O3 Schottky diodes up to 600 degrees C	Pearton, Stephen J.; Liao, Yu-Te; Tadjer, Marko; Chen, Yen-Ting; Gila, Brent P.; Ren, Fan; Xian, Minghan; Fares, Chaker

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